[实用新型]一种侧面凹槽陶瓷电容器

说明书

一种侧面凹槽陶瓷电容器，包括电容本体、引线和包封层。所述电容本体由陶瓷基体、电极、侧面凹槽组成，两个电极附着于基体上，电极上焊接引线，包封料包裹电容本体及部分引线。所述的侧面凹槽为陶瓷电容器侧面开出的环形空缺，经包封料包封后，侧面凹槽被绝缘的包封料填充，使陶瓷电容器通电后沿着陶瓷基体外表面的电场线被包封料截断，减小了表面跨弧放电风险，此外侧面凹槽可增大两电极间沿陶瓷表面的距离，进一步减小了表面爬电风险，可显著减小陶瓷电容器制程过程中因质量波动导致陶瓷电容器表面跨弧的风险，提升了陶瓷电容器安全性与可靠性。

技术领域

本实用新型涉及一种能够在电路中起滤波、振荡、耦合作用的陶瓷电容器，尤其指一种陶瓷基体侧面存在凹槽的陶瓷电容器。

背景技术

陶瓷电容器是以陶瓷作为介质材料的电容器，其在电路中可起到隔直、旁路、耦合、滤波、温度补偿、瞬态电压抑制、调谐、储能、抑制电磁干扰等种种作用，是几乎所有电子设备必须的基础元器件。击穿电压是衡量陶瓷电容器性能的重要指标，陶瓷电容器一旦发生电击穿，一般会伴随电路失效，严重时会导致触电、火灾等危险，为保证陶瓷电容器的可靠工作，既要保证瞬时电压下不发生击穿，又要保证长期工作电压下不发生击穿，因此提升产品的耐击穿电压，一直是业内持续改善的目标。陶瓷电容器的瞬时电压击穿一般分为两种，一种是电容器实际承受电压超出陶瓷基体耐电压限度，强电场导致陶瓷基体内自由电子撞击中性分子，使之电离后形成雪崩式电子流，导致击穿，此类击穿一般由陶瓷微观结构，介质厚度，电极面积等因素决定，此类击穿发生在陶瓷介质内部，属正常失效击穿模式。另一种击穿模式为跨弧击穿，在陶瓷介质烧结时，其外表面位于陶瓷与空气的界面，其表面张力及自由能等均与陶瓷内部的烧结环境有所差异，导致烧结后外表面缺陷态较多，陶瓷表面的绝缘强度小于陶瓷内部，加之陶瓷电容器在电极边缘因电场畸变，场强方向可分为垂直向下和水平向外的两个分量，易于出现沿陶瓷表面爬电击穿的现象，也称飞弧击穿，其击穿路径一般由电极边缘起始，击穿路径水平沿陶瓷表面延伸至陶瓷基体侧面或自电极边缘经瓷体内部斜向外到达陶瓷基体侧面，此后在陶瓷基体侧面爬电后，以近乎对称的路径到达另一电极边缘。跨弧击穿一般属于制程中的不良形态，烧结、焊接挂锡、陶瓷基体表面破损、包封料间隙等各制程过程出现异常，均易导致跨弧击穿发生，业内需要一种可减少因制程异常而出现跨弧击穿风险的陶瓷电容器。

实用新型内容

本实用新型需解决的技术问题是提供一种耐电压水平符合国家标准的陶瓷电容器，它可以有效减少跨弧放电风险，提升陶瓷电容器的安全性。

本实用新型解决现有技术问题所采用的技术方案是：一种陶瓷电容器，其包括有电容本体、第一引线、第二引线、包封层，所述电容本体由陶瓷介电材料构成的圆柱体陶瓷基体、陶瓷基体侧面的凹槽及附着于陶瓷基体上的第一电极、第二电极组成，第一引线焊接在第一电极上，第二引线焊接在第二电极上，包封层包裹电容本体及部分引线，陶瓷基体侧面的凹槽是沿着陶瓷基体侧面向陶瓷基体内部开出的环形空缺，陶瓷基体侧面为平滑的环形面、带有波纹状起伏的环形面的一种。

进一步的，所述的陶瓷基体侧面凹槽的截面为长方形、半圆形、半椭圆形的一种。

进一步的，所述陶瓷基体侧面凹槽的数量为1-200条。

进一步的，所述陶瓷基体侧面凹槽的截面中，位于陶瓷基体内部最内侧的点与位于陶瓷基体侧面最外侧的点在水平方向上的距离为0.01-5毫米。