[实用新型]一种侧面凹槽陶瓷电容器有效

专利信息
申请号: 201821859636.1 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN208834907U 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 李国正;阙华昌;褚平顺 申请(专利权)人: 昆山万丰电子有限公司
主分类号: H01G4/002 分类号: H01G4/002;H01G4/005;H01G4/224;H01G4/12;H01G4/236
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215313 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 陶瓷电容器 侧面凹槽 包封料 电容本体 电极 减小 陶瓷基体 表面爬电 电极附着 焊接引线 陶瓷表面 质量波动 包封层 电场线 包封 放电 截断 制程 绝缘 填充 空缺 通电 侧面
【权利要求书】:

1.一种侧面凹槽陶瓷电容器,其特征在于,包括有电容本体、第一引线、第二引线、包封层,所述电容本体由陶瓷介电材料构成的圆柱体陶瓷基体、陶瓷基体侧面的凹槽及附着于陶瓷基体上的第一电极、第二电极组成,第一引线焊接在第一电极上,第二引线焊接在第二电极上,包封层包裹电容本体及部分引线,陶瓷基体侧面的凹槽是沿着陶瓷基体侧面向陶瓷基体内部开出的环形空缺,陶瓷基体侧面为平滑的环形面、带有波纹状起伏的环形面的一种。

2.根据权利要求1所述的一种侧面凹槽陶瓷电容器,其特征在于,所述的陶瓷基体侧面凹槽的截面为长方形、半圆形、半椭圆形的一种。

3.根据权利要求1所述的一种侧面凹槽陶瓷电容器,其特征在于,所述的陶瓷基体侧面凹槽的数量为1-200条。

4.根据权利要求1所述的一种侧面凹槽陶瓷电容器,其特征在于,所述陶瓷基体侧面凹槽的截面中,位于陶瓷基体内部最内侧的点与位于陶瓷基体侧面最外侧的点在水平方向上的距离为0.01-5毫米。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山万丰电子有限公司,未经昆山万丰电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821859636.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top