[实用新型]一种非制冷红外焦平面阵列探测器

权利要求书

1.一种非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，包括：硅衬底、桥面层、四锚柱支撑的桥臂层；所述桥面层设置有热敏感层和红外热辐射吸收层，所述桥臂层设置有钝化层和金属导电层，所述硅衬底设置有读出电路和金属反射层；所述桥面层与所述桥臂层相互平行设置并通过支撑柱连接，所述桥臂层悬空设置在所述硅衬底上且通过四个锚柱与所述硅衬底连接；所述桥面层和所述桥臂层之间具有第一真空间隙层；所述桥臂层和所述硅衬底之间具有第二真空间隙层。

2.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述第一真空间隙层高度为0.5～2.5μm。

3.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述第二真空间隙层高度为0.5～2.5μm。

4.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述桥臂层为若干个“几”字形回折结构的桥臂组成。

5.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述桥面层的热敏感层的材料为氧化钒、氧化钛、非晶锗硅或非晶硅中的一种。

6.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述红外热辐射吸收层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。

7.根据权利要求1或6所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述红外热辐射吸收层的红外热辐射波段为8～14μm。

8.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述钝化层为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。

9.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述金属导电层为钛、钛/氮化钛、镍铬合金、或钛铝钒合金中的一种。

10.根据权利要求1所述的非制冷红外焦平面阵列探测器，其特征在于，所述金属反射层的材料是金、铝、钛/铝、或镍铬合金中的一种。