[实用新型]叠层片式带通滤波器有效

专利信息
申请号: 201821714095.3 申请日: 2018-10-22
公开(公告)号: CN209217164U 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 黎燕林;肖倩;朱建华;刘季超;周丽洁;王志华 申请(专利权)人: 深圳振华富电子有限公司;中国振华(集团)科技股份有限公司
主分类号: H01P1/20 分类号: H01P1/20;H01P7/08
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 官建红
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 带状线谐振器 谐振器 带通滤波器 叠层 片式 三层 本实用新型 通带插入损耗 谐振器长度 交叉耦合 陶瓷基体 纵向空间 集成度 带状线 上平面 体积小 下平面 耦合量 耦合线 电容 波长 加载 阻带 保证
【权利要求书】:

1.叠层片式带通滤波器,包括陶瓷基体、设置于所述陶瓷基体中的六阶谐振器、分别设于所述陶瓷基体两端的输入端和输出端,其特征在于:各所述谐振器沿所述陶瓷基体宽度方向延伸设置,各所述谐振器均为三层带状线谐振器;六阶所述谐振器包括沿所述陶瓷基体长度方向依次设置的第一阶带状线谐振器、第二阶带状线谐振器、第三阶带状线谐振器、第四阶带状线谐振器、第五阶带状线谐振器和第六阶带状线谐振器,且所述第一阶带状线谐振器、所述第三阶带状线谐振器和所述第五阶带状线谐振器位于下平面,所述第二阶带状线谐振器、所述第四阶带状线谐振器和所述第六阶带状线谐振器位于上平面,所述下平面沿所述陶瓷基体高度方向处于所述上平面的下方,所述第一阶带状线谐振器连接所述输入端,所述第六阶带状线谐振器连接所述输出端;所述叠层片式带通滤波器还包括将所述第二阶带状线谐振器和所述第四阶带状线谐振器进行交叉耦合的Z型耦合线,所述Z型耦合线包括沿所述陶瓷基体宽度方向延伸设置的第二段与第一段和沿所述陶瓷基体长度方向延伸设置的第三段,所述第二段和所述第一段分别与所述第三段的两端相连,所述第二段和所述第一段分别位于所述第三段的两侧,所述第二段位于所述第二阶带状线谐振器的上方,所述第一段位于所述第四阶带状线谐振器的上方。

2.如权利要求1所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:各所述谐振器的三层带状线的层间间距相同,且顶层所述带状线与底层所述带状线关于中间层所述带状线镜像对称设置,中间层所述带状线的一端接地,中间层所述带状线的另一端悬空,顶层所述带状线靠近所述中间层带状线之接地的一端悬空,顶层所述带状线的另一端接地,底层所述带状线靠近所述中间层带状线之接地的一端悬空,底层所述带状线的另一端接地。

3.如权利要求2所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:各所述谐振器还包括分别与各层所述带状线之悬空端对应的凸出带,所述凸出带与相应所述悬空端间隔设置,各所述凸出带均接地。

4.如权利要求3所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:所述叠层片式带通滤波器还包括分别设于所述陶瓷基体的左右两侧的两个接地带,各所述接地带与邻近所述凸出带相连,各所述带状线之接地端与邻近所述接地带相连。

5.如权利要求1-4任一项所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:所述叠层片式带通滤波器还包括设于所述陶瓷基体的上侧的上接地板和设于所述陶瓷基体的下侧的下接地板,所述下平面到所述下接地板的距离与所述上平面到所述上接地板的距离大致相等。

6.如权利要求5所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:所述上接地板两侧的边缘分别开设有用于形成介质区域的上缺口,所述下接地板两侧的边缘分别开设有用于形成介质区域的下缺口。

7.如权利要求1-4任一项所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:所述第一阶带状线谐振器与所述输入端间隔设置,所述第六阶带状线谐振器与所述输出端间隔设置,所述叠层片式带通滤波器还包括将所述第一阶带状线谐振器与所述输入端连接的第一抽头和将所述第六阶带状线谐振器与所述输出端连接的第二抽头。

8.如权利要求7所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:所述第一抽头与所述输入端相连处的宽度由该输入端至远离该输入端的方向呈渐缩状;所述第二抽头与所述输出端相连处的宽度由该输出端至远离该输出端的方向呈渐缩状。

9.如权利要求7所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:所述第一抽头为单层折叠带状线,所述第二抽头为单层折叠带状线。

10.如权利要求1-4任一项所述的叠层片式带通滤波器,其特征在于:各所述谐振器的长度不同。

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