[实用新型]一种内凹的空腔三模谐振结构及含有内凹的空腔三模谐振结构的滤波器

权利要求书

1.一种内凹的空腔三模谐振结构，包括空腔和盖板，所述空腔内设置有介质谐振块、介质支撑架，其特征在于：所述空腔为类似正方体形状，所述介质谐振块为类似正方体形状且至少一个端面内凹，所述介质支撑架分别与所述介质谐振块和所述空腔内壁连接，所述介质谐振块与所述介质支撑架构成三模介质谐振杆，所述介质支撑架的介电常数小于所述介质谐振块的介电常数；

当所述空腔内壁单边的尺寸与其对应的所述介质谐振块单边的尺寸之间的比值K为：转换点1≤K≤转换点2时，其与基模相邻的高次模Q值转换为三模谐振结构的基模Q值，转换后的基模谐振频率等于转换前的基模谐振频率，转换后的基模Q值＞转换前的基模Q值，转换后的与基模相邻的高次模Q值＜转换前的与基模相邻的高次模Q值；

三模谐振结构中设置有用于改变空腔内简并三模电磁场正交特性的耦合结构；

三模谐振结构中设置有用于改变空腔内简并三模谐振频率的频率调谐装置。

2.一种内凹的空腔三模谐振结构，包括空腔和盖板，所述空腔内设置有介质谐振块、介质支撑架，其特征在于：所述空腔为类似正方体形状且至少一个端面内凹，所述介质谐振块为类似正方体形状，所述介质支撑架分别与所述介质谐振块和所述空腔内壁连接，所述介质谐振块与所述介质支撑架构成三模谐振结构，所述介质支撑架的介电常数小于所述介质谐振块的介电常数；

当所述空腔内壁单边的尺寸与其对应的所述介质谐振块单边的尺寸之间的比值K为：转换点1≤K≤转换点2时，其与基模相邻的高次模Q值转换为三模谐振结构的基模Q值，转换后的基模谐振频率等于转换前的基模谐振频率，转换后的基模Q值＞转换前的基模Q值，转换后的与基模相邻的高次模Q值＜转换前的与基模相邻的高次模Q值；

三模谐振结构中设置有用于改变空腔内简并三模电磁场正交特性的耦合结构；

三模谐振结构中设置有用于改变空腔内简并三模谐振频率的频率调谐装置。

3.一种内凹的空腔三模谐振结构，包括空腔和盖板，所述空腔内设置有介质谐振块、介质支撑架，其特征在于：所述空腔为类似正方体形状且至少一个端面内凹，所述介质谐振块为类似正方体形状且至少一个端面内凹，所述介质支撑架分别与所述介质谐振块和所述空腔内壁连接，所述介质谐振块与所述介质支撑架构成三模谐振结构，所述介质支撑架的介电常数小于所述介质谐振块的介电常数；

当所述空腔内壁单边的尺寸与其对应的所述介质谐振块单边的尺寸之间的比值K为：转换点1≤K≤转换点2时，其与基模相邻的高次模Q值转换为三模谐振结构的基模Q值，转换后的基模谐振频率等于转换前的基模谐振频率，转换后的基模Q值＞转换前的基模Q值，转换后的与基模相邻的高次模Q值＜转换前的与基模相邻的高次模Q值；

三模谐振结构中设置有用于改变空腔内简并三模电磁场正交特性的耦合结构；

三模谐振结构中设置有用于改变空腔内简并三模谐振频率的频率调谐装置。

4.根据权利要求1或2或3中所述的一种内凹的空腔三模谐振结构，其特征在于：所述介质谐振块为实心结构或中空结构；中空结构的介质谐振块的中空部分填充有空气或嵌套介质谐振块，所述嵌套介质谐振块的体积小于或等于介质谐振块的中空部分的体积。

5.根据权利要求4中所述的一种内凹的空腔三模谐振结构，其特征在于：所述嵌套介质谐振块为类似正方体形状且至少一个端面内凹。

6.根据权利要求5中所述的一种内凹的空腔三模谐振结构，其特征在于：所述嵌套介质谐振块的至少一个端面设置有薄膜介质。

7.根据权利要求1或2或3中所述的一种内凹的空腔三模谐振结构，其特征在于：所述空腔至少一个端面或/和所述介质谐振块至少一个端面设置有薄膜介质。

8.根据权利要求1或2或3中所述的一种内凹的空腔三模谐振结构，其特征在于：所述转换点1的值和所述转换点2的值均会随所述介质谐振块的基模谐振频率、所述介质谐振块的介电常数、所述支撑架的介电常数的不同而产生变化。