[实用新型]一种溅射镀膜阴极系统有效

专利信息
申请号: 201821531010.8 申请日: 2018-09-20
公开(公告)号: CN209227050U 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 王策;李先林;吕勇 申请(专利权)人: 华夏易能(海南)新能源科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 陈超
地址: 570216 海南省海口市南海*** 国省代码: 海南;46
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摘要:
搜索关键词: 屏蔽罩 靶材利用率 固定磁体 溅射镀膜 旋转磁体 阴极系统 靶材 刻蚀 不均匀性 磁场分布 刻蚀区域 中部区域 不均匀 镀膜层 拐弯处 均匀性 开口 应用
【说明书】:

一种溅射镀膜阴极系统,包括:旋转磁体、固定磁体和屏蔽罩;所述屏蔽罩一侧设置有开口,且所述旋转磁体和所述固定磁体设置在所述屏蔽罩内部。该系统可以消除靶材端部拐弯处刻蚀非常严重,而中部区域却相对刻蚀较浅的现象,进而提高靶材利用率;可以减少实际应用中由于磁场分布的不均匀造成靶材的刻蚀区域的不均匀性问题,从而提高靶材利用率;还可以提高镀膜层均匀性,从而提高产品质量;还具有结构简单、可靠性高、成本低等优势。

技术领域

发明涉及磁控溅射技术领域,尤其涉及一种溅射镀膜阴极系统。

背景技术

目前,在磁控溅射镀膜技术应用领域中,使用最广泛的是平面磁控溅射阴极。最常见的两种平面磁控溅射阴极包括圆形靶磁控溅射阴极和矩形靶磁控溅射阴极。

现有的上述矩形平面靶材磁控溅射阴极的缺点在于:

第一、通常情况下只有20%~30%利用率。而溅射靶材是磁控溅射的主要耗材,低利用率无疑会造成靶材的极大浪费,导致溅射成本的提高。

第二、由于靶面的非均匀刻蚀(对角线效应)使其端部拐弯处刻蚀非常严重,而中部区域相对刻蚀较浅,并且刻蚀严重的位置总是成对角线分布。靶面的非均匀刻蚀总是使其在某些位置先被刻穿,从而缩短了靶的寿命,降低了靶材利用率。

第三、在镀膜过程中,随着靶材的消耗特别是靶材快使用完毕的时候,由于靶材各处刻蚀不均匀,导致膜层的均匀性会变差。

第四、靶材上溅射跑道之外未被离子轰击到的区域会累积一些杂质,在镀膜过程中,这些区域表面上的杂质由于温度升高或者被杂散离子轰击,也会部分释放出来,掺入薄膜中,会造成镀膜纯度的降低,形成污染。

实用新型内容

(一)实用新型目的

本实用新型的目的是提供一种溅射镀膜阴极系统,解决靶材的利用率很低、镀膜品质差等问题。

(二)技术方案

为解决上述问题,本实用新型的第一方面提供了一种溅射镀膜阴极系统,包括:旋转磁体、固定磁体和屏蔽罩;所述屏蔽罩一侧设置有开口,且所述旋转磁体和所述固定磁体设置在所述屏蔽罩内部。

进一步地,其中所述旋转阴极包括中心磁体、圆周磁体和旋转机构;所述中心磁体与所述圆周磁体朝向所述靶材的磁极其二者极性相反,且所述中心磁体和所述圆周磁体磁极方向与所述靶材平面垂直;所述中心磁体与所述圆周磁体设置在所述旋转机构上,所述旋转机构带动所述圆周磁体围绕所述中心磁体做圆周运动。

进一步地,其中所述旋转磁体为多个,多个所述旋转磁体均匀布置。

进一步地,其中多个所述旋转磁体等间距排布在一条直线上。

进一步地,所述固定磁极与所述中心磁体朝向所述靶材的磁极其二者极性相同。

进一步地,其中所述固定磁体与所述屏蔽罩固定连接。

进一步地,其中所述固定磁体、所述中心磁体和所述圆周磁体为长条形。

进一步地,其中所述固定阴极为多个。

进一步地,还包括冷却装置,所述冷却装置设置在所述靶材和所述旋转阴极之间。

进一步地,其中所述冷却装置为非导磁材料制作。

本实用新型的目的是提供一种溅射镀膜阴极系统,包括:旋转磁体、固定磁体和屏蔽罩;所述屏蔽罩一侧设置有开口,且所述旋转磁体和所述固定磁体设置在所述屏蔽罩内部。

(三)有益效果

本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果:

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