[实用新型]一种高功率半导体激光热处理装置有效
申请号: | 201821466138.0 | 申请日: | 2018-09-07 |
公开(公告)号: | CN209276564U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 钟绪浪;朱宝华;罗又辉;王瑾;高云峰 | 申请(专利权)人: | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
主分类号: | C21D1/09 | 分类号: | C21D1/09;C21D9/00 |
代理公司: | 深圳市世联合知识产权代理有限公司 44385 | 代理人: | 汪琳琳 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率变换电路 功率调制 控制电路 激光热处理装置 高功率半导体 本实用新型 储能电路 退火 激光加工技术 发光二极管 有效地实现 热处理 工件表面 连接开关 有效实现 淬火 改性 加热 电源 | ||
本实用新型涉及激光加工技术领域,公开了一种高功率半导体激光热处理装置,其包括储能电路、功率变换电路、功率调制控制电路和MCU控制电路;所述储能电路连接开关电源后与所述功率变换电路连接;所述功率变换电路连接发光二极管LD,还分别与所述功率调制控制电路和所述MCU控制电路连接;所述功率调制控制电路也与所述MCU控制电路连接。本实用新型可以实现加热与高频双管齐下的效果,并有效实现热处理中的淬火,退火等工艺,从而有效地实现工件表面的改性。
技术领域
本实用新型涉及激光热处理技术领域,更具体的说,特别涉及一种高功率半导体激光热处理装置。
背景技术
激光焊接是一种新兴的焊接工艺,它相对各种传统焊接最大的优势就是焊接能量密度高、热影响范围小、变形小且焊缝精美。激光焊接技术具有熔池净化效应,能纯净焊接材料,对同种或者不同材料焊接特别有利,适用于相同和不同金属材料间、塑料等材料的焊接及表面改性。
焊接瞬时应力是指焊接过程中某一瞬间的焊接应力,它随时间的变化而变化。焊接冷却中,残留于焊件内的应力称为焊接残余应力,这种应力对结构的作用性能有影响。此外,金属在加热或冷却的过程中局部组织发生转变会引起组织应力,又称相变应力。上述这些应力都是在没有外力作用下产生的内应力。焊接时如果焊件在发生变形的过程中受到外界的限制,例如夹具夹紧情况下进行焊接,则在焊件中产生拘束应力,这种应力随着限制的去除而消失。过大的拘束应力会引起焊接裂纹或者材料变形。因此,在焊接完成后,需要对焊缝及板材表面进行材料改性。
另外,如果需要在材料表面增强性能,需要进一步对材料表面进行(退火、淬火等)热处理,从而增强其表面硬度、耐磨等性能。目前材料热处理一般采用的在炉内加热处理比较多,但是对于工件较大的处理方法较少,而且效率极低。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术存在的技术问题,提供一种高功率半导体激光热处理装置,可以实现加热与高频双管齐下的效果,并有效实现热处理中的淬火,退火等工艺,从而有效地实现工件表面改性。
为了解决以上提出的问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种高功率半导体激光热处理装置,所述激光热处理装置包括储能电路、功率变换电路、功率调制控制电路和MCU控制电路;所述储能电路连接开关电源后与所述功率变换电路连接;所述功率变换电路连接发光二极管LD,还分别与所述功率调制控制电路和所述MCU控制电路连接;所述功率调制控制电路也与所述MCU控制电路连接。
进一步地,所述储能电路包括电容C1和电容C2,所述电容C1的正极接在开关电源和所述功率变换电路之间,所述电容C1的负极接地;所述电容C2与所述电容C1并联。
进一步地,所述功率变换电路包括MOS管Q和电流采样电路;开关电源连接所述MOS管Q的D脚,所述MOS管Q的S脚连接发光二极管LD的正极,所述MOS管Q的G脚连接所述功率调制控制电路;所述发光二极管LD的负极连接所述电流采样电路,所述电流采样电路分别接所述MCU控制电路和地端;所述电容C1的正极接在开关电源和所述MOS管Q的D脚之间。
进一步地,所述储能电路通过所述电容C1、电容C2处理并储存开关电源输出的能量后,将所述能量输出给所述功率变换电路的MOS管Q,所述MOS管Q控制发光二极管LD发光实现激光加热;同时,所述电流采样电路对所述发光二极管LD的电流进行采样,并将采样得到的电流反馈给所述MCU控制电路,所述MCU控制电路根据接收的反馈电流并通过所述功率调制控制电路实现对MOS管Q进行实时控制。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
本实用新型采用高功率半导体激光来处理,其光斑可以调节,那么热处理的面积增大,激光功率也可以通过调制的方式进行选择,这样可以针对大型工件进行处理。
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