[实用新型]一种充磁机充磁峰值电流测量电路

权利要求书

1.一种充磁机充磁峰值电流测量电路，其特征在于：它包括电流传感器、电流转电压模块、峰值保持电路模块、低速AD检测模块、高速AD检测模块、CPLD、RAM模块和单片机；

在充磁机与充磁线圈的回路上串联电流传感器，电流传感器接入电流转电压模块输出对应的电压信号，并通过峰值保持电路获得峰值信号，电流转电压模块同时连接高速AD检测模块和低速AD检测模块；高速AD检测模块连接CPLD，将采集的动态峰值信息传输给CPLD，由CPLD控制RAM模块进行数据存储，测量完毕后，通过CPLD将RAM模块中数据提取出来传输给单片机；低速AD检测模块连接单片机。

2.根据权利要求1所述的一种充磁机充磁峰值电流测量电路，其特征在于：所述单片机选用TI的MSP430F437芯片，其中单片机的AVcc、DVcc端与电容CD10的正极、电容C10的一端、电源VDD直接连接；电容CD10的负极、电容C10的另一端与数字地DGND连接；单片机的RST端与电阻R10的一端、电容C11的一端连接；电阻R10的另一端与电源VDD连接，电容C11的另一端与数字地DGND连接；单片机的P1.1端与低速AD检测模块中的AD芯片U11的SCLK端连接；单片机的P1.2端与AD芯片U11的CS端连接；单片机的P1.3端与AD芯片U11的DIN端连接；单片机的P1.4端与AD芯片U11的DOUT端连接；单片机的rxd1端与CPLD的tx端连接；单片机的P2.1端与CPLD的rst端连接；单片机的P2.0端与CPLD的read端连接；所述的AD芯片U11选用AD7799芯片。

3.根据权利要求2所述的一种充磁机充磁峰值电流测量电路，其特征在于：所述的AD芯片U11的AIN1+端、AIN1-端分别与电流峰值保持电路连接；AD芯片U11的GND端与模拟地AGND连接；AD芯片U11的AVdd端、DVdd端与电源VDD端连接；AD芯片U11的PSW端、REF-端与电容C14的一端、稳压二极管Z10的正极连接；AD芯片U11的REF+端与电容C14的另一端、稳压二极管Z10的负极、电阻R11的一端连接；电阻R11的另一端与电源VDD的一端连接。

4.根据权利要求1所述的一种充磁机充磁峰值电流测量电路，其特征在于：所述电流转电压模块包括电阻R20、电阻R21、电阻R22和二极管Z20，其中电流传感器的一端与电阻R20的一端连接；电阻R20的另一端与二极管Z20的一端、电阻R21的一端连接；二极管Z20的另一端与电流传感器的另一端、模拟地AGND端连接；电阻R21的另一端与电阻R22的一端、运放U20的IN+端连接；电阻R22的另一端与模拟地AGND连接，所述的运放U20位于峰值保持电路中，采用OP07芯片。

5.根据权利要求1所述的一种充磁机充磁峰值电流测量电路，其特征在于：所述峰值保持电路中的运放U20作为电压跟随器，采用OP07芯片，运放U20IN+端与的电流转电压模块的一端连接；运放U20的IN-端与二极管D20的正极连接；运放U20的VDD端与电容CD20的正极、电容C20的一端、电源VDD端连接；电容CD20的另一端与电容C20的另一端、模拟地AGND连接；运放U20的VSS端与电阻R23的一端、模拟地AGND连接；运放U20的/SD端与单片机的EN端连接；运放U20的OUT端与二极管D20的负极、电阻R23的另一端、二极管D21的正极连接；二极管D21的负极与电阻R24的一端连接；电阻R24的另一端与电阻R25的一端、电阻R26的一端、电容C21的一端、AD芯片的AIN1+端、电容CD21的正极连接；电阻R26的另一端与电容C21的另一端、模拟地AGND端连接；电容CD21的负极与模拟地AGND端连接；电阻R25的另一端与电阻R27的一端、按键S20的一端连接；电阻R27的另一端与高速光耦芯片U21的OUT2端连接；按键S20的另一端与高速光耦U21的OUT1端、模拟地AGND连接；高速光耦U21的A端与放电控制端的一端连接；高速光耦U21的C端与电阻R28的一端连接；电阻R28的另一端与放电控制端的另一端连接。

6.根据权利要求2所述的一种充磁机充磁峰值电流测量电路，其特征在于：单片机的XIN端与晶振X10的一端、电容C12的一端连接；单片机的XOUT端与晶振X10的另一端、电容C13的一端连接；电容C12的另一端、电容C13的另一端与数字地DGND连接；单片机的串口TXD0端、RXD0端与485通讯模块连接，单片机通过485通讯模块与PC端上位机进行通讯。