[实用新型]一种基于电磁场近场提取导电薄膜表面电导率的测试装置

权利要求书

1.一种基于电磁场近场提取导电薄膜表面电导率的测试装置，其特征在于，是在导电薄膜的一侧设置电磁发射源，其发射电磁波的方向朝向且垂直于导电薄膜；电磁发射源与导电薄膜的间距大于2λ，λ为发射电磁波的波长；在水平的导电薄膜上下两侧分别放置磁场近场探头和电场近场探头，两个探头与导电薄膜保持相同间距，两者的连线垂直于导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，是以兼具磁场近场探测与电场近场探测功能的探头替代所述磁场近场探头和/或电场近场探头。

3.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，两个探头之间的连线与导电薄膜相交，电磁发射源的发射方向与导电薄膜相交，两个相交点之间的距离不大于D_MAX/2，D_MAX为发射源的最大口径。

4.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述电磁发射源是喇叭天线。

5.根据权利要求1所述的测试装置，其特征在于，所述两个探头与导电薄膜的间距小于电磁发射源与导电薄膜的距离。

6.根据权利要求1至5任意一项中所述的测试装置，其特征在于，所述两个探头分别通过信号线接至工控机，所述电磁发射源通过信号线接至控制器。