[实用新型]磁性片和电子装置有效

专利信息
申请号: 201821444900.5 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN209183352U 公开(公告)日: 2019-07-30
发明(设计)人: 李承珉;权相均;赵中英;李智晓 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;H01F1/047;H01F41/02;H02J50/70;H02J50/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 祝玉媛;钱海洋
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 磁性片 第二表面 第一表面 电子装置 磁性层 本实用新型 结晶度 饱和磁通量 彼此相对 内部区域 磁导率 磁特性 基合金 屏蔽
【权利要求书】:

1.一种磁性片,其特征在于,包括:

磁性层,利用Fe基合金制成,

其中,所述磁性层包括在所述磁性层的厚度方向上彼此相对的第一表面区域和第二表面区域以及设置在所述第一表面区域与所述第二表面区域之间的内部区域,并且

所述第一表面区域的结晶度高于所述第二表面区域的结晶度。

2.根据权利要求1所述的磁性片,其特征在于,所述内部区域的结晶度不同于所述第一表面区域的结晶度和所述第二表面区域的结晶度。

3.根据权利要求1所述的磁性片,其特征在于,所述内部区域的结晶度高于所述第二表面区域的结晶度。

4.根据权利要求3所述的磁性片,其特征在于,所述第一表面区域的结晶度高于所述内部区域的结晶度。

5.根据权利要求4所述的磁性片,其特征在于,所述磁性片的结晶度从所述第二表面区域至所述第一表面区域逐渐增大。

6.根据权利要求1所述的磁性片,其特征在于,在所述第一表面区域中,在X射线衍射分析曲线中,(200)晶面的峰高于(110)晶面的峰。

7.根据权利要求6所述的磁性片,其特征在于,在所述第一表面区域中,在所述X射线衍射分析曲线中,主峰出现在(200)晶面处。

8.根据权利要求1所述的磁性片,其特征在于,在所述第二表面区域中,在X射线衍射分析曲线中,(110)晶面的峰高于(200)晶面的峰。

9.根据权利要求8所述的磁性片,其特征在于,在所述第二表面区域中,在所述X射线衍射分析曲线中,主峰出现在(110)晶面处。

10.根据权利要求1所述的磁性片,其特征在于,所述第一表面区域具有晶相和非晶相的混合相结构,

所述第二表面区域具有非晶相的大体单相结构。

11.根据权利要求1所述的磁性片,其特征在于,所述磁性层具有包括多个裂纹的碎裂表面。

12.根据权利要求11所述的磁性片,其特征在于,所述多个裂纹中的每个包括多个碎片。

13.根据权利要求11所述的磁性片,其特征在于,所述碎裂表面是所述第一表面区域的表面。

14.一种电子装置,其特征在于,包括:

线圈;及

磁性片,与所述线圈相邻设置,并且包括利用Fe基合金制成的磁性层,

其中,所述磁性层包括在所述磁性层的厚度方向上彼此相对的第一表面区域和第二表面区域以及设置在所述第一表面区域与所述第二表面区域之间的内部区域,并且

所述第一表面区域的结晶度高于所述第二表面区域的结晶度。

15.根据权利要求14所述的电子装置,其特征在于,所述磁性片设置为使得所述第一表面区域面向所述线圈。

16.一种磁性片,其特征在于,包括:

磁性层,利用Fe基合金制成,并且包括晶相和非晶相的混合相结构,

其中,在所述磁性层的截面区域中,所述晶相的总面积与所述非晶相的面积的比在所述磁性层的厚度方向上改变。

17.根据权利要求16所述的磁性片,其特征在于,所述磁性层包括在所述磁性层的厚度方向上彼此相对的第一表面区域和第二表面区域以及设置在所述第一表面区域与所述第二表面区域之间的内部区域,并且

所述比从所述磁性层的所述第一表面区域至所述第二表面区域逐渐减小。

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