[实用新型]一种变频器用可控硅驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种变频器用可控硅驱动电路，包括可控硅驱动电路，还包括输出端连接于可控硅驱动电路输入端的与门芯片U3，与门芯片U3的两个输入端记为SCR_SET输入端和PULSE输入端；比较器U2的输出端连接与门芯片U3的SCR_SET输入端，正弦波相电压L1依次通过衰减电路、钳位电路连接比较器U2的正极输入端，电压源VCC通过分压电路连接比较器U2的负极输入端，比较器U2的输出端通过上拉电阻R6连接电压源VCC；迟滞反相器U1A的输出端连接迟滞反相器U1B的输入端，迟滞反相器U1A的输入端通过电阻R13连接迟滞反相器U1B的输入端，迟滞反相器U1B的输出端连接与门芯片U3的PULSE输入端。提高了可控硅的效率，降低了可控硅的温升，同时提高了可控硅开通和关断的可靠性。

技术领域

本实用新型属于电源电路技术领域，具体涉及一种变频器用可控硅驱动电路。

背景技术

目前变频器在整流单元的整流元器件一般分为二极管和可控硅两种。传统的可控硅驱动电路开通整流单元是通过给一个常高电平来控制可控硅导通，电路拓扑见图1所示：V1是可控硅的供电电源， SCR_A可控硅的控制信号，当SCR_A为低电平时，即N沟道MOS 管Q1的栅极电压为低电平，Q1不导通导致P沟道MOS管Q2的栅极电压为高电平，Q2不导通可控硅驱动为低电平。当SCR_A为高电平时，即N沟道MOS管Q1的栅极电压为高电平，Q1导通导致P沟道MOS管Q2的栅极电压为低电平，Q2导通可控硅驱动为高电平。

这种驱动电路的优点是驱动电路相对简单，可控硅的开通和关断都比较可靠，但其缺点是当整流单元工作后需保持SCR_SET一直为高电平，当可控硅工作在反向电压的时候存在反向漏电流过大，导致可控硅损耗过大，温度过高。实际使用过程中变频器长时间工作在待机状态时可控硅温度上升很快。

发明内容：

本实用新型的目的是提供一种变频器用可控硅驱动电路，能够降低了可控硅的温升，同时提高了可控硅开通和关断的可靠性，以克服背景技术中存在的问题。

为了实现上述目的，本实用新型的技术方案为：

一种变频器用可控硅驱动电路，包括可控硅驱动电路，还包括输出端连接于可控硅驱动电路输入端的与门芯片U3A，与门芯片U3A 的两个输入端记为SCR_SET输入端和PULSE输入端；比较器U2A 的输出端连接与门芯片U3A的SCR_SET输入端，正弦波相电压L1依次通过衰减电路、钳位电路连接比较器U2A的正极输入端，电压源VCC通过分压电路连接比较器U2A的负极输入端，比较器U2A 的输出端通过上拉电阻R6连接电压源VCC；迟滞反相器U1A的输出端连接迟滞反相器U1B的输入端，迟滞反相器U1A的输入端通过电阻R13连接迟滞反相器U1B的输入端，迟滞反相器U1B的输出端连接与门芯片U3A的PULSE输入端。

较佳地，电阻R13通过电容C2连接12V-GND。

较佳地，比较器U2A的正极输入端通过电阻R5连接输出端。

较佳地，衰减电路包括电阻R1和电阻R2，电阻R1连接于比较器U2A的正极输入端，电阻R2的一端连接电源VCC，另一端连接比较器U2A的正极输入端。

较佳地，钳位电路包括比较器U2A的正极输入端和接地端之间设置的稳压管D1，稳压管D1的负极端连接比较器U2A的正极输入端，稳压管D1的正极端接地。

较佳地，分压电路包括电阻R3和电阻R4，电阻R3连接在比较器U2A的负极输入端和接地端之间，电阻R4链接在比较器U2A的负极输入端和电源VCC之间，电阻R3还并联有电容C1。