[实用新型]一种湿度与气压集成MEMS传感器有效

专利信息
申请号: 201821422256.1 申请日: 2018-08-31
公开(公告)号: CN208588401U 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 徐香菊;李向光 申请(专利权)人: 青岛歌尔微电子研究院有限公司
主分类号: G01D11/24 分类号: G01D11/24;G01D21/02;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 刘静
地址: 266104 山东省*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 气压传感器 气压 气压敏感元件 基底 湿度传感器单元 本实用新型 基底上表面 湿度传感器 感湿材料 外界连通 外界异物 集成度 空腔 沉积 封装 容纳 概率
【说明书】:

实用新型公开一种湿度与气压集成MEMS传感器。该湿度与气压集成MEMS传感器包括气压传感器单元和位于其上方的湿度传感器单元;所述气压传感器单元包括第一基底和位于第一基底上表面的气压敏感元件;所述湿度传感器单元包括第二基底和沉积在第二基底上表面的感湿材料;所述第二基底形成有用以容纳所述气压敏感元件且与外界连通的空腔。本实用新型的湿度与气压集成MEMS传感器将湿度传感器与气压传感器使用MEMS工艺集成在一起,大大的增加了产品的集成度,降低了产品的封装尺寸;同时,降低了气压传感器中的气压敏感元件受外界异物影响的概率。

技术领域

本实用新型涉及MEMS传感器技术领域。更具体地,涉及一种湿度与气压集成MEMS传感器。

背景技术

目前的MEMS传感器受异物影响较大,是造成产品封装良率降低的主要原因。异物可能导致产品的性能降低,可靠性降低甚至导致产品失效。由于在使用过程中,环境异物较难管控,芯片的防异物设计就显得更为重要;此外MEMS传感器向着小型化集成化发展。

实用新型内容

基于以上背景技术,本实用新型提供一种湿度与气压集成MEMS传感器,将湿度传感器与气压传感器使用MEMS工艺集成在一起,大大的增加了产品的集成度,降低了产品的封装尺寸;同时,降低了气压传感器中的气压敏感元件受外界异物影响的概率。

为了实现以上目的,本实用新型采用以下技术方案:

一种湿度与气压集成MEMS传感器,包括气压传感器单元和位于其上方的湿度传感器单元;

所述气压传感器单元包括第一基底和位于第一基底上表面的气压敏感元件;

所述湿度传感器单元包括第二基底和沉积在第二基底上表面的感湿材料;

所述第二基底形成有用以容纳所述气压敏感元件且与外界连通的空腔。

优选地,所述空腔由第二基底的下表面向内凹陷形成。

进一步优选地,所述空腔的侧壁形成镂空结构与外界连通。

本实用新型一个优选实施例中,所述气压传感器单元为电容式气压传感器。

优选地,所述气压敏感元件为压敏电极;所述气压传感器单元还包括与所述压敏电极对应设置的电容电极,以及形成在所述压敏电极和电容电极之间为的真空空腔。

本实用新型另一个优选实施例中,所述气压传感器单元为压阻式气压传感器。

同样的,所述湿度传感器单元为压阻式湿度传感器或者电容式湿度传感器。

优选地,气压传感器单元和湿度传感器单元通过键合连接在一起。

优选地,所述第一基底和第二基底为硅基底。

进一步的,所述湿度与气压集成MEMS传感器还包括用于封装的且与外界连通的外壳。

本实用新型的有益效果如下:

本实用新型的湿度与气压集成MEMS传感器将湿度传感器与气压传感器使用MEMS工艺集成在一起,大大的增加了产品的集成度,降低了产品的封装尺寸;同时,降低了气压传感器中的气压敏感元件受外界异物影响的概率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出本实用新型实施例中的湿度与气压集成MEMS传感器示意图。

图2示出本实用新型实施例中的气压传感器单元示意图。

图3示出本实用新型实施例中的湿度传感器单元示意图。

图4示出本实用新型实施例中的湿度传感器单元的侧视图。

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