[实用新型]一种线性电磁执行元件掩模

说明书

本实用新型公开了一种线性电磁执行元件掩模，包括掩模板，掩模板的底部设置有硅晶片，掩模板的顶部设置有芯片，芯片的上表面设置有光栅格，掩模板的上表面涂覆有防尘涂料，防尘膜的下表面设置有保护膜玻璃晶片的下表面设置有抗反射膜，抗反射膜的下表面设置有铬膜。本实用新型在掩模板的上表面设置有防尘涂料和保护膜，可对掩模板进行有效保护，同时防尘涂料为聚硅氧烷聚合物材料制作而成，能有效对掩模板进行防尘，保护膜由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成具有极好的防潮性，同时具有极好的韧性，能加强掩模板的强度，在铬的表面涂覆一层抗反射膜，极大减少了铬的反射性，既增强了掩模板的实用性也提高了安全性。

技术领域

本实用新型涉及一种掩模领域，特别涉及一种线性电磁执行元件掩模。

背景技术

掩模上承载有设计图形，光线透过它，把设计图形透射在光刻胶上，掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量，在投影式光刻机中，掩模作为一个光学元件位于会聚透镜与投影透镜之间，掩模上的图形缩小4～10倍后透射在晶圆表面，而在在半导体制造的整个流程中，其中一部分就是从版图到晶圆制造中间的一个过程，掩模，是光刻工艺不可缺少的部件，但是我们目前所掌握的掩模技术还存在着许多的问题，其中掩模的防护措施问提已经到了刻不容缓的地步了，常见的掩模无法做到有效的防潮和防尘，以及铬反射性强，容易对人的健康造成恶劣影响的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种线性电磁执行元件掩模，可有效做到掩模防尘和防潮，并且能有效解决铬反射性强问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：

本实用新型一种线性电磁执行元件掩模，包括掩模板，所述掩模板的下表面设置有硅晶片，所述掩模板的上表面设置有芯片，所述芯片的上表面设置有光栅格，所述掩模板的上表面涂覆有第一防尘涂料，所述第一防尘涂料的下表面设置有第一保护膜，所述第一保护膜的下表面设置有玻璃晶片，所述玻璃晶片的下表面设置有抗反射膜，所述抗反射膜的下表面设置有铬膜，所述铬膜的下表面安装有第二保护膜，所述第二保护膜的下表面涂覆有第二防尘涂料。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述铬膜为溅射铬。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一防尘涂料和第二防尘涂料均由聚硅氧烷聚合物材料制作而成。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第一保护膜和第二保护膜均由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述玻璃晶片由合成石英玻璃材料制作而成。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本实用新型通过在掩模板的上表面设置有防尘涂料和保护膜，可对掩模板进行有效保护，同时防尘涂料为聚硅氧烷聚合物材料制作而成，能有效对掩模板进行防尘，保护膜由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成具有极好的防潮性，同时具有极好的韧性，能加强掩模板的强度，在铬膜的表面涂覆一层抗反射膜，极大减少了铬的反射性，既增强了掩模板的实用性也提高了安全性。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1是本实用新型的整体结构示意图；

图2是本实用新型的整体结构剖视图；

图3是本实用新型的掩模板的拆分结构示意图；

图4是本实用新型的掩模板剖视图；

图中：1、掩模板；2、硅晶片；3、芯片；4、光栅格；5、第一保护膜； 6、玻璃晶片；7、抗反射膜；8、铬膜；9、第一防尘涂料；10、第二保护膜； 11、第二防尘涂料。