[实用新型]用于SIM卡读卡器的应用电路

说明书

本实用新型公开了一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4；SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4；三极管Q1的基极连接主控芯片的控制端，三极管Q1的集电极连接场效应管Q2的栅极，场效应管Q2的漏极连接SIM卡槽U3的供电输入端，三极管Q3的基极连接主控芯片的控制端，三极管Q3的集电极连接场效应管Q4的栅极，场效应管Q4的漏极连接SIM卡槽U4的供电输入端，场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。本实用新型通过控制SIM卡槽的电源，实现SIM卡切换。

技术领域

本实用新型涉及SIM卡技术领域，具体地涉及一种用于SIM卡读卡器的应用电路。

背景技术

目前MIFI、4G路由器等装置不支持双卡双待，需要使用两张SIM卡时需要用到SIM卡读卡器，现有的SIM卡读卡器通过使用专门的IC来完成相应的功能，IC的成本高造成现有的SIM卡读卡器的成本较高，并且占用的GPIO口较多，对输入的电压要求较高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种成本低的用于SIM卡读卡器的应用电路及SIM卡读卡器。

本实用新型公开的一种用于SIM卡读卡器的应用电路及SIM卡读卡器采用的技术方案是：

一种用于SIM卡读卡器的应用电路，包括主控芯片U1，还包括与所述主控芯片U1电性连接的SIM卡控制模块、SIM卡槽U3、SIM卡槽U4。

所述SIM卡控制模块包括第一控制电路、第二控制电路，所述第一控制电路包括三极管Q1、场效应管Q2，所述第二控制电路包括三极管Q3、场效应管Q4。

所述三极管Q1的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q1的集电极连接所述场效应管Q2的栅极，所述三极管Q1的发射极接地，所述场效应管Q2的漏极连接所述SIM卡槽U3的供电输入端，所述三极管Q3的基极连接所述主控芯片的控制端，所述三极管Q3的集电极连接所述场效应管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极接地，所述场效应管Q4的漏极连接所述SIM卡槽U4的供电输入端，所述场效应管Q2的源极和栅极之间连接有电阻R13，所述场效应管Q4的源极和栅极之间连接有电阻R19，所述场效应管Q2的源极和所述场效应管Q4的源极并联接入电源。

作为优选方案，所述SIM卡槽U3的引脚CD和所述主控芯片U1之间电性连接。

作为优选方案，所述三极管Q1的基极串联有电阻R1，所述三极管Q1的基极和发射极之间连接有电阻R2。

作为优选方案，所述三极管Q3的基极串联有电阻R3，所述三极管Q3的基极和发射极之间连接有电阻R4。

作为优选方案，所述场效应管Q2的漏极和所述SIM卡槽U3的供电输入端之间连接有电容C20，所述电容C20的另一端接地。

作为优选方案，所述场效应管Q4的漏极和所述SIM卡槽U4的供电输入端之间连接有电容C26，所述电容C26的另一端接地。

一种SIM卡读卡器，包括如上所述的用于SIM卡读卡器的应用电路。

本实用新型提供一种用于SIM卡读卡器的应用电路，主控芯片U1根据SIM卡槽U3和SIM卡槽U4插入SIM卡的情况，然后输出控制信号给SIM卡控制模块的第一控制电路或者第二控制电路。通过控制第一控制电路的三极管Q1和场效应管Q2的通断，控制SIM卡槽U3和电源之间的通断，通过控制第二控制电路的三极管Q3和场效应管Q4的通断，控制SIM卡槽U4和电源之间的通断，从而达到从SIM卡槽U3或SIM卡槽U4中选择一个来使用的目的。本实用新型电路结构简单，不需要制造专门的IC，占用GPIO口少，通过控制这个两个SIM卡槽的电源，即可达到选择其中一个SIN卡工作的功能。