[实用新型]静电卡盘及反应腔室有效
申请号: | 201821195261.3 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN208478311U | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 刘建 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电卡盘 电荷释放单元 残余电荷 反应腔室 本实用新型 电导通 加热层 偏移 晶圆 断开 释放 积累 | ||
1.一种静电卡盘,包括基座以及设置在所述基座上的加热层,其特征在于,所述静电卡盘还包括电荷释放单元,所述电荷释放单元用于将所述基座和加热层均与地断开或者电导通。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述电荷释放单元包括电荷释放电路,所述电荷释放电路接地,且分别与所述基座和加热层电连接,并且在所述电荷释放电路上设置有通断开关,用于接通或断开所述电荷释放电路。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述基座与加热层二者电绝缘设置;所述电荷释放电路包括主路、第一支路和第二支路,其中,所述第一支路和第二支路分别与所述基座和加热层电连接,并且所述第一支路和第二支路与所述主路串联;所述主路接地;
所述通断开关为一个,且设置在所述主路上;或者,
所述通断开关为两个,且分别设置在所述第一支路和第二支路上。
4.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述基座与加热层二者电导通设置;所述电荷释放电路包括主路,所述主路与所述基座或者加热层电连接,且所述主路接地;所述通断开关设置在所述主路上。
5.根据权利要求3或4所述的静电卡盘,其特征在于,在所述主路上设置有保护电阻。
6.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述加热层包括加热器层和设置在所述加热器层上的匀热层;所述电荷释放电路与所述匀热层电连接。
7.根据权利要求6所述的静电卡盘,其特征在于,在所述匀热层与所述加热器层之间设置有第一保护层,且在所述加热器层的背离所述匀热层的一侧设置有第二保护层,并且在所述第一保护层与所述匀热层之间设置有粘接剂层。
8.根据权利要求4所述的静电卡盘,其特征在于,所述基座与所述加热层通过螺纹连接并电导通。
9.根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述电荷释放单元还包括两个馈入电极,两个所述馈入电极分别设置在所述加热层和所述基座中,且所述电荷释放电路分别与两个所述馈入电极电连接。
10.一种反应腔室,包括静电卡盘,其特征在于,所述静电卡盘为权利要求1-9中任一所述静电卡盘。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造