[实用新型]一种磁控溅射阴极磁场布置结构

权利要求书

1.一种磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，包括至少一磁控溅射阴极基本磁场阵列，所述磁控溅射阴极基本磁场阵列包括产生中心磁场的中心磁铁和产生外围磁场的外围磁铁，所述外围磁铁围绕在中心磁铁的外围，所述中心磁铁和外围磁铁均固定在上磁轭、下磁轭上且中心磁场和外围磁场均垂直于上磁轭、下磁轭，所述中心磁场方向与所述外围磁场方向相反，构成闭合场并在闭合磁场间形成跑道。

2.如权利要求1所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，所述中心磁铁为一个单列,所述外围磁铁为围绕在所述中心磁铁外围的一圈，所述中心磁铁的前、后两端和侧面距离所述外围磁铁的距离相等。

3.如权利要求1所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，所述中心磁铁和外围磁铁的宽度均为4-13mm，其中所述中心磁铁的宽度为外围磁铁宽度的2/3。

4.如权利要求1所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，所述中心磁铁和所述外围磁铁全部等高布置在上磁轭、下磁轭上，所述上磁轭、下磁轭的厚度均为所述中心磁铁和所述外围磁铁高度的1/3。

5.如权利要求4所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，在所述上磁轭上加工出用以放置所述中心磁铁的第一上凹槽和用以放置外围磁铁的第二上凹槽，在所述下磁轭上加工出用以放置中心磁铁的第一下凹槽和用以放置外围磁铁的第二下凹槽，所述中心磁铁的上、下两端分别插入到所述上磁轭上的第一上凹槽中和所述下磁轭上的第一下凹槽中，所述外围磁铁的上、下两端分别插入到所述上磁轭上的第二上凹槽中和所述下磁轭上的第二下凹槽中。

6.如权利要求4所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，所述上磁轭和下磁轭均采用高导磁材料制成。

7.如权利要求5所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，所述第一上凹槽和第二上凹槽的深度为上磁轭厚度的1/2，所述第一下凹槽和第二下凹槽的深度为下磁轭厚度的1/2。

8.如权利要求1至7任一项权利要求所述的磁控溅射阴极磁场布置结构，其特征在于，所述磁控溅射阴极磁场布置结构由两个以上的磁控溅射阴极基本磁场阵列并列组成，形成两个以上的并列的跑道；其中相邻两个磁控溅射阴极基本磁场阵列中的外围磁铁有一部分共用。