[实用新型]一种功率器件漏电流及可靠性测试仪

说明书

本实用新型公开了一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，其包括插头、插座和测试仪主体；所述插头封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座电连接；所述测试仪主体内部设置有测试电路，并与所述插座电连接。本实用新型基于威尔逊镜像电流原理进行设计制作，极大的降低了造价成本；同时，能够至少可同时测量30个以上的MOS电容，提高了测试效率，节省了大量的金钱与时间成本。

技术领域

本实用新型属于半导体功率器件设计技术领域，尤其涉及一种功率器件漏电流及可靠性测试仪。

背景技术

在半导体功率器件(例如场效应管MOSFET)设计与制作过程中，金属氧化物半导体电容(MOS Capacitor)是其中一个最重要的组成部分。MOS电容的漏电流及可靠性参数是决定场效应管设计成败的基础。所以，MOS电容的漏电流大小及其可靠性需要得到正确与有效的测量与检测。

目前各无尘实验室主要使用高端昂贵的半导体器件检测仪(例如Agilent B1500Asemiconductor device analyzer)，单位售价超过50万人民币且每一次只能测量一个电容。

实用新型内容

本实用新型的目的是：为了解决现有技术中存在的以上问题，本实用新型提出了一种功率器件漏电流及可靠性测试仪。

本实用新型的技术方案是：一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，包括插头、插座和测试仪主体；所述插头封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座电连接；所述测试仪主体内部设置有测试电路，并与所述插座电连接。

进一步地，所述MOS电容采用半导体裸晶。

进一步地，所述插头包括PCB板，所述PCB板中心设置有电容区域，侧边设置有多个引脚；所述电容区域周围设置有多个触点；所述MOS电容封装在电容区域内，并通过引线键合连接到触点上；所述触点与所述引脚电连接。

进一步地，所述插座包括电路板，所述电路板侧边设置有多个接头；所述电路板与插头的引脚插接的孔位通过PCB布线与接头电连接。

进一步地，所述测试仪主体的测试电路的第一三极管和第二三极管的发射极均接外部电源，所述第一三极管的基极、第二三极管的基极和集电极均与第三三极管的发射极连接，所述第一三极管的集电极分别与第二电阻和第三三极管的基极连接，所述第二电阻通过MOS电容接地，所述第三三极管的集电极分别与第三电阻和增益运算放大器的同相端连接，所述第三电阻接地；所述增益运算放大器的反相端通过第一电阻与其输出端连接，并通过第四电阻接地；所述增益运算放大器的输出端与数据采集端口连接。

本实用新型具有以下有益效果：(1)基于威尔逊镜像电流原理进行设计制作，极大的降低了造价成本；

(2)至少可同时测量30个以上的MOS电容，提高了测试效率，节省了大量的金钱与时间成本；

(3)可连续运行时间完全满足可靠性测试要求，并实现全自动化处理，无需人员守候；

(4)结构简单，方便使用，可以根据用户要求进行定制。

附图说明

图1为本实用新型的功率器件漏电流及可靠性测试仪的结构示意图；

图2为本实用新型实施例中测试电路的结构示意图。

附图标记为：1、插头，11、电容区域，12、触点，13、引脚，2、插座，21、孔位，22、接头，3、测试仪主体。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。