[实用新型]一种抗干扰的半桥驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种抗干扰的半桥驱动电路，通过输入QD_L端和QD_H端输入信号后，分别通过电感L1和电感L2后通过MOS管M1和MOS管M2后从MOS管M1的漏极输出，其中，MOS管M1栅极之前的电感L1能够有效抑制上电时电路中产生的尖峰干扰对MOS管M1的过冲，避免过冲造成MOS管M1的损坏；MOS管M2栅极之前的电感L2能够有效抑制上电时电路中产生的尖峰干扰对MOS管M2的过冲，从而有效避免过冲对MOS管M2的损坏。

技术领域

本实用新型涉及驱动技术领域，具体来说，涉及一种抗干扰的半桥驱动电路。

背景技术

半桥驱动电路主要是通过功率管产生交流电触发信号，从而产生大电流进一步驱动下级负载，半桥驱动电路一般通过MOS管实现，但是在半桥驱动电路上电时的尖峰干扰会对MOS管产生过冲，从而导致MOS管的损坏。

实用新型内容

针对相关技术中的上述技术问题，本实用新型提出一种抗干扰的半桥驱动电路，能够克服现有技术的上述不足。

为实现上述技术目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种抗干扰的半桥驱动电路，包括输入QD_L端和QD_H端，所述QD_H端连接变压器L的一个输入端，所述的变压器L的一个输出端连接电阻RA1的一端和电阻RA3的一端，所述的电阻RA1的另一端连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管VA1的发射极、电阻RA5的一端、稳压管ZA1的负极和电感L1的一端，所述三极管VA1的集极与所述电阻RA3的另一端连接，所述三极管VA1的集电极与所述变压器L的另一个输出端、电阻RA5的另一端和稳压管ZA1的正极连接，所述电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极连接所述稳压管ZA1的正极和MOS管M2的漏极，所述MOS管M2的栅极连接电感L2的一端，所述电感L2的另一端连接稳压管ZA2的负极、电阻RA6的一端、三极管VA2的发射极和二极管D2的负极，所述二极管D2的正极连接电阻RA2的一端，所述电阻RA2的另一端与所述输入QD_L端连接，所述输入QD_L端连接电阻RA4的一端，所述电阻RA4的另一端与所述三极管VA2的集极连接，所述三极管VA2的集电极连接电阻RA6的另一端、稳压管ZA2的正极和MOS管M2的源极。

进一步的，所述变压器L的另一个输入端和MOS管M2的源极均接地。

进一步的，所述电感L1和电感L2均为1uH磁珠。

本实用新型的有益效果：本实用新型将基本驱动电路中的MOS管栅极前加上一个1UH电感能有效抑制上电时电路中产生的尖峰干扰对MOS管的过冲。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本实用新型实施例所述的一种抗干扰的半桥驱动电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。