[实用新型]一种抗干扰的半桥驱动电路有效
| 申请号： | 201821068219.5 | 申请日： | 2018-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN208316568U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张靖竟;鄂凌松 | 申请（专利权）人： | 北京金晟达生物电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/32 | 分类号： | H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 罗莎 |
| 地址： | 102200 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电感 半桥驱动电路 尖峰干扰 有效抑制 抗干扰 上电 电路 本实用新型 漏极 输出 | ||
1.一种抗干扰的半桥驱动电路，其特征在于，包括输入QD_L端和QD_H端，所述QD_H端连接变压器L的一个输入端，所述的变压器L的一个输出端连接电阻RA1的一端和电阻RA3的一端，所述的电阻RA1的另一端连接二极管D1的正极，所述二极管D1的负极连接三极管VA1的发射极、电阻RA5的一端、稳压管ZA1的负极和电感L1的一端，所述三极管VA1的集极与所述电阻RA3的另一端连接，所述三极管VA1的集电极与所述变压器L的另一个输出端、电阻RA5的另一端和稳压管ZA1的正极连接，所述电感L1的另一端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极连接所述稳压管ZA1的正极和MOS管M2的漏极，所述MOS管M2的栅极连接电感L2的一端，所述电感L2的另一端连接稳压管ZA2的负极、电阻RA6的一端、三极管VA2的发射极和二极管D2的负极，所述二极管D2的正极连接电阻RA2的一端，所述电阻RA2的另一端与所述输入QD_L端连接，所述输入QD_L端连接电阻RA4的一端，所述电阻RA4的另一端与所述三极管VA2的集极连接，所述三极管VA2的集电极连接电阻RA6的另一端、稳压管ZA2的正极和MOS管M2的源极。
2.根据权利要求1所述的一种抗干扰的半桥驱动电路，其特征在于，所述变压器L的另一个输入端和MOS管M2的源极均接地。
3.根据权利要求1所述的一种抗干扰的半桥驱动电路，其特征在于，所述电感L1和电感L2均为1uH磁珠。
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