[实用新型]一种酸性铜蚀刻液制备装置有效

专利信息
申请号: 201821066902.5 申请日: 2018-07-06
公开(公告)号: CN209061037U 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 戈士勇 申请(专利权)人: 江阴润玛电子材料股份有限公司
主分类号: B01F13/10 分类号: B01F13/10;B01F7/18;B01F15/00
代理公司: 江阴义海知识产权代理事务所(普通合伙) 32247 代理人: 郭超
地址: 214400 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 进料通道 混合罐 制备装置 非离子型表面活性剂 本实用新型 硫酸储罐 上端开口 铜蚀刻液 插孔 挡板 超滤装置 储罐出口 固体原料 罐内液体 过滤效果 下端开口 装置设置 飞溅 储罐 盖体 外壁 匹配 进口 出口 安全
【说明书】:

实用新型公开了一种酸性铜蚀刻液制备装置,所述制备装置包括硫酸储罐、非离子型表面活性剂储罐和第一混合罐,所述硫酸储罐出口和非离子型表面活性剂储罐出口分别与第一混合罐进口相连接;所述第一混合罐上设有进料通道,所述进料通道的上端开口设于第一混合罐外,所述进料通道的下端开口设于第一混合罐内,所述进料通道上端开口处设置有与进料通道上端相匹配的盖体,所述进料通道与第一混合罐外壁连接处设有插孔,所述插孔内设有挡板。本实用新型装置第一混合罐上设有进料通道,固体原料通过进料通道进入第一混合罐,罐内液体飞溅或者剧烈反应,不影响操作人员的安全,装置设置调节阀,调节进入超滤装置中的液体的流量,提高过滤效果。

技术领域

本实用新型涉及电子化学品生产设备技术领域,具体涉及一种酸性铜蚀刻液制备装置。

背景技术

近年来,人们对半导体装置、液晶显示器的需求量不断增加的同时,对于这些装置所具有的配线、电极等的微小化、高性能化的要求也越来越严格,而蚀刻的效果能直接导致电路板制造工艺的好坏,影响高密度细导线图像的精度和质量。

为了解决蚀刻液组合物蚀刻铜材料过程中,对蚀刻速率慢、难以控制蚀刻角度和不同金属层的蚀刻量而造成的多层配线的半导体装置的配线的断路、短路,得到较高的成品率。为保证其稳定性及蚀刻的平滑度及精度,在蚀刻液中需要加入多种组分。而常规的生产方法是将蚀刻液中的各组份在同一容器中一起混合,其分散混合性能差,存在较大的安全隐患,蚀刻液杂质含量多,不能满足使用需求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于,克服现有技术中存在的缺陷,提供一种分散混合性好、杂质含量少、硫酸组分混合时操作更安全的一种酸性铜蚀刻液制备装置。

为实现上述目的,本实用新型的技术方案是设计一种酸性铜蚀刻液制备装置,所述制备装置包括硫酸储罐、非离子型表面活性剂储罐和第一混合罐,所述硫酸储罐出口和非离子型表面活性剂储罐出口分别与第一混合罐进口相连接;所述第一混合罐上设有进料通道,所述进料通道的上端开口设于第一混合罐外,所述进料通道的下端开口设于第一混合罐内,所述进料通道上端开口处设置有与进料通道上端大小、形状相匹配的盖体,所述进料通道与第一混合罐外壁连接处设有插孔,所述插孔内设有挡板。进料通道口盖体和挡板的设置,避免了固体原料通过进料通道加入第一混合罐时,导致混合罐内液体通过进料通道飞溅出来,伤害操作人员的安全。

优选的技术方案为,所述制备装置还包括去离子水储罐、第二混合罐、调节阀、超滤装置和成品罐;所述第一混合罐出口、去离子水储罐出口分别与第二混合罐进口相连接;所述第二混合罐出口与超滤装置进口相连,所述第二混合罐出口与超滤装置进口的连接管道上设置有调节阀;所述超滤装置出口与成品罐进口相连。装置设置调节阀,调节进入超滤装置中的液体的流量,提高过滤效果。

优选的技术方案为,所述进料通道的上端开口设于第一混合罐外,所述进料通道的下端开口设于第一混合罐内,所述进料通道上端开口处设置有与进料通道上端大小、形状相匹配的盖体,所述进料通道与第一混合罐外壁连接处设有插孔,所述插孔内设有挡板。

为了使混合液混合均匀,固体原料溶解更充分,产品杂质含量少,进一步优选的技术方案为,所述第一混合罐、第二混合罐内均设有搅拌器。

为了提高混合罐和成品罐的耐腐蚀性能,进一步优选的技术方案还有,所述第一混合罐、第二混合罐和成品罐内壁均为聚四氟乙烯层。

本实用新型的优点和有益效果在于:将硫酸、表面活性剂和固体原料在第一混合罐中充分搅拌混合均匀,然后在第二混合罐中与去离子水充分搅拌混合均匀后,过滤后放置在成品罐中封装。进料通道上端开口处设有盖体,中部设有插板,固体原料加入后盖上盖体,拔下插板,固体原料进入第一混合罐,罐内液体飞溅或者剧烈反应,不影响操作人员的安全,装置设置调节阀,调节进入超滤装置中的液体的流量,提高过滤效果。本实用新型装置分散混合均匀性好、且操作安全,产品杂质含量少。

附图说明

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