[实用新型]纳米金属线导电结构及触控面板有效

专利信息
申请号: 201821030791.2 申请日: 2018-06-30
公开(公告)号: CN208283924U 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 朱娜娜;孟辉辉;丁德宝;李灏;高建;罗志忠 申请(专利权)人: 云谷(固安)科技有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;H01B5/00;H01B5/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 065500 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 纳米金属线 导电颗粒 搭接 导电结构 触控面板 凹孔 嵌入 本实用新型 反应灵敏度 导电性能 透光性 吸光性 眩晕 基质 面搭 雾度 保证
【权利要求书】:

1.一种纳米金属线导电结构,包括基质、纳米金属线及导电颗粒,所述纳米金属线及所述导电颗粒嵌入所述基质中,其特征在于,所述纳米金属线上具有多个凹孔,至少部分所述凹孔中嵌入有所述导电颗粒。

2.如权利要求1所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述导电颗粒的数量大于所述纳米金属线上的凹孔数量的两倍。

3.如权利要求1所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述导电颗粒嵌入所述凹孔时,是完全嵌入或部分嵌入所述凹孔的。

4.如权利要求1所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述凹孔的形状是球状、椭球体、圆柱状、立方体及锥体中的一种或多种的组合。

5.如权利要求1所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述导电颗粒的形状是球状、椭球体、圆柱状、立方体及锥体中的一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述凹孔沿所述纳米金属线的长度方向的截面宽度小于10nm。

7.如权利要求1至6中任一项所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述纳米金属线导电结构的厚度为100nm-200nm,线长为20μm-50μm,线径小于50nm,且长径比大于500。

8.如权利要求1至6中任一项所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述导电颗粒包括纳米银粒子、纳米金粒子、纳米铜粒子或石墨烯粒子中的一种或多种。

9.如权利要求1至6中任一项所述的纳米金属线导电结构,其特征在于,所述纳米金属线为纳米银线。

10.一种触控面板,其特征在于,包括基板及形成于所述基板上的如权利要求1-9中任一项所述的纳米金属线导电结构。

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