[实用新型]屏蔽罩悬挂式真空灭弧室

说明书

提供一种屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，在瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ为圆筒状结构且位于瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ之间的固定环与瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ固定连接，所述瓷壳Ⅱ内部的触头外侧设有屏蔽罩且屏蔽罩上端与固定环固定连接。本实用新型通过将屏蔽罩上端与固定环钎焊固连为一体，去掉传统瓷壳的内台阶，将屏蔽罩与瓷壳的连接方式设计为悬挂式结构，解决了因屏蔽电极的电子束释放引起电子雪崩而使得瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ表面带电的现象，保证瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ沿面耐压水平，在保证屏蔽罩和电极之间有效距离的情况下，最大化的缩小了瓷壳Ⅱ与屏蔽罩之间的距离，从而缩小了真空灭弧室的外径，解决了瓷壳Ⅱ因内台阶引发的内应力问题而导致瓷壳Ⅱ开裂报废的现象，提高了产品的合格率。

技术领域

本实用新型属于真空开关技术领域，具体涉及一种屏蔽罩悬挂式真空灭弧室。

背景技术

在真空灭弧室中，屏蔽罩不仅具有均压作用，更为重要的是吸收动、静触头在开断过程及弧后产生的金属蒸汽作用。保证弧后介质强度的恢复及瓷壳免受金属蒸汽的沉积污染，使真空灭弧室在经历多次短路电流开断后，仍能保持良好的绝缘性能，通常真空灭弧室屏蔽罩与动、静触头绝缘，其电位是悬浮的，而且有屏蔽罩相对于动、静触头的固定分布电容分布，在真空度较低时，屏蔽罩和触头电极之间就会发生放电现象。在较高真空度下，真空灭弧室运行的电极与屏蔽罩之间的等离子浓度很低，因此可以认为离子在扩散向屏蔽罩的过程中，不会发生碰撞和复合，当真空度下降时屏蔽罩与动、静触头之间的带电离子的扩散运动在一定程度上受影响，带电离子不易扩散和消失，容易在屏蔽罩和电极之间形成间歇的贯穿通道，放电进入非自持状态，由于触头与屏蔽罩之间是非均匀电场，而且真空灭弧室内最大的电场强度出现在触头表面边缘，随着真空度的降低，气体分子的增多，气体分子在强场区爆发的电离过程，在电场作用下，电子在其奔向阳极的过程中得到加速，动能增加，同时电子在其运动过程中又不断地和气体碰撞，形成大量的电子崩，所以电极与屏蔽罩之间的放电电流也随之增加，伴随着放电过程，间隙中出现大量的电荷，根据极不均匀电场中电晕放电过程，真空灭弧室电极曲率半径较大，电晕层很薄，随着真空度的下降，电晕层不断扩大，出现强烈的脉冲现象，开始转入流注形式的电晕放电，最后流注贯穿间隙，导致间隙击穿，造成真空灭弧室爆炸、烧毁等现象，依据上述情况，在真空灭弧室小型化设计中，不能以减小屏蔽罩和电极之间的有效距离为前提进行设计。

真空灭弧室要实现小型化，主要采取以下措施：①有效利用磁场，缩小真空灭弧室的内部结构；②改进触头材料，去除杂质；③优化屏蔽罩结构，提高耐压性能。实现真空灭弧室小型化设计，针对第三种情况，如图1所示，现有真空灭弧室采用瓷壳1内台阶与屏蔽罩3钎焊的固定连接方式，在触头2处的瓷壳1内壁上设有内台阶，设于屏蔽罩3外圆周壁上的凸台置于瓷壳1内台阶上后固定，屏蔽罩3的此种结构和与瓷壳1的连接方式，在保证触头2与屏蔽罩3内壁之间距离L的情况下，屏蔽罩3外壁与瓷壳1内壁之间间隙较大，不利于真空灭弧室小型化的要求，中间屏蔽结构，因屏蔽电极的电子释放引起的电子雪崩，使瓷壳1内表面带电，沿面耐压水平低，针对上述问题，有必要进行改进。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题：提供一种屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，通过在瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ之间固定固定环，并将屏蔽罩上端与固定环钎焊固连为一体，去掉传统瓷壳的内台阶，将屏蔽罩与瓷壳的连接方式设计为悬挂式结构，解决了因屏蔽电极的电子束释放引起电子雪崩而使得瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ表面带电的现象，保证瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ沿面耐压水平，同时，在保证屏蔽和电极之间有效距离的情况下，最大化的缩小了瓷壳Ⅱ与屏蔽罩之间的距离，从而缩小了真空灭弧室的外径，解决了瓷壳Ⅱ因内台阶引发的内应力问题而导致瓷壳Ⅱ开裂报废的现象，提高了产品的合格率。

本实用新型采用的技术方案：屏蔽罩悬挂式真空灭弧室，具有瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ，所述瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ为圆筒状结构且位于瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ之间的固定环与瓷壳Ⅰ和瓷壳Ⅱ固定连接，所述瓷壳Ⅱ内部的触头外侧设有屏蔽罩且屏蔽罩上端与固定环固定连接。