[实用新型]一种磁控溅射设备

说明书

本实用新型提供一种磁控溅射设备，包括：靶材，设置为阴极；遮罩壳，设置在所述靶材外部，将所述靶材罩设在其内部，所述遮罩壳具有开口；绝缘隔离层，设置在所述遮罩壳和所述靶材之间；至少一个压条，设置为阳极，其一端与所述的开口固定连接,其另一端形成凸起部，所述凸起部与所述压条处于同一平面,并向外延伸,形成尖端。本实用新型提供的磁控溅射设备将阳极所连接的压条设置为尖端，通过将压条设计为尖端，可以扩大压条尖端处的电势能的范围，使距离尖端较远处的Ar原子也可以被电离成Ar+，从而可以电离得到更多数量的Ar+，以及增大Ar+的平均自由行程。

技术领域

本实用新型涉及磁控溅射领域，尤其是涉及一种磁控溅射设备。

背景技术

磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，被广泛应用在机械、电子、能源、信息等领域。

磁控溅射的基本原理是利用Ar-O2混合气体中的等离子体在电场和交变磁场的作用下，被加速的高能粒子轰击靶材表面，能量交换后，靶材表面的原子脱离原晶格而逸出，转移到基体表面而成膜。目前，磁控设备中，压条是规则的长条形状的，导致阳极表面聚积电荷少，电势能释放少，导致被激发离子自由程短，耗能较高。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中，磁控溅射设备的阳极压条的表面聚集电荷少，电势能释放少，导致被激发的Ar离子自由程短，耗能较高的不足，提供一种磁控溅射设备。

为解决上述问题，本实用新型提供了一种磁控溅射设备，包括：靶材，设置为阴极；遮罩壳，设置在所述靶材外部，将所述靶材罩设在其内部，所述遮罩壳具有开口；绝缘隔离层，设置在所述遮罩壳和所述靶材之间；至少一个压条，设置为阳极，其一端与所述的开口固定连接,其另一端形成凸起部，所述凸起部与所述压条处于同一平面,并向外延伸,形成尖端。

进一步地，凸起部设置为逐渐收缩至尖端。

进一步地，凸起部设置为逐渐扩大及逐渐收缩至所述尖端。

进一步地，凸起部的最高点形成尖端结构，所述尖端结构为三角形，所述凸起部的尖端结构形成尖韧状。

进一步地，三角形状的顶角为0-30度。

进一步地，三角形状的顶角为0-10度。

进一步地，凸起部的最高点向外延伸形成针状结构。

进一步地，压条为2个，2个压条的尖端相对设置。

进一步地，遮罩壳为方形；压条为4个，分布在遮罩壳的四周。

本实用新型的上述技术方案具有如下有益的技术效果：

本实用新型提供的磁控溅射设备将阳极所连接的压条设置为尖端，通过将压条设计为尖端，可以扩大压条尖端处的电势能的范围，使距离尖端较远处的Ar原子也可以被电离成Ar+，从而可以电离得到更多数量的Ar+，以及增大Ar+的平均自由行程；另外，Ar+的能量也随之增大，从而能够轰击得到更多的金属原子，增大轰击效率，并提高靶材利用率。

附图说明

图1是示意性的示出磁控溅射设备的原理图；

图2是根据本实用新型第一实施方式的磁控溅射设备的结构示意图；

图3是根据本实用新型第一实施方式的磁控溅射设备的原理示意图；

图4a是本实用新型压条的凸起部逐渐收缩至尖端的一种实施方式的结构示意图；

图4b是本实用新型压条的凸起部逐渐收缩至尖端的另一实施方式的结构示意图；