[实用新型]铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备有效
申请号: | 201820924646.2 | 申请日: | 2018-06-14 |
公开(公告)号: | CN208284492U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 任宇航;刘晓燚;罗明新 | 申请(专利权)人: | 浙江尚越新能源开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0749 |
代理公司: | 杭州华知专利事务所(普通合伙) 33235 | 代理人: | 张德宝 |
地址: | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 铜铟镓硒 整体设备 主反应区 化学水 沉积 硫化镉薄膜 温度传感器 主反应 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 本实用新型 荧光光谱仪 反馈 溶液逆流 设备整体 生产效率 风干 风机 镀膜 减小 腔门 冲洗 环绕 一体化 调控 | ||
本实用新型公开了一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备。该铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备在主反应区内每个加热器上分别设置有温度传感器,可反馈加热器的温度,这样就可通过温度传感器和加热器来调控主反应区内的温度,同时主反应区末端设置有荧光光谱仪可反馈硫化镉薄膜的厚度,从而调节产生的硫化镉薄膜的厚度,同时腔门能够打开便于调整,主反应区前端的风机可以防止溶液逆流出主反应区,设备整体分上下部分环绕设计可以减小设备占地面积,且通过该设备镀膜、冲洗、风干一体化,使铜铟镓硒薄膜太阳能电池卷进去到出来就可以直接给到下一个工序,节省了很多的时间,有利于提高生产效率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备。
背景技术
随着全球气候变暖、生态环境恶化和常规能源的短缺,太阳能已成为各国可持续发展的重要战略决策。太阳能电池就是一种将太阳能转化成电能的装置,具备超过电能、风能等资源的能源,而有希望成为未来电力行业的重要支柱。太阳能电池主要分为硅太阳能电池、化合物半导体薄膜电池、有机聚合物电池、有机薄膜电池等。其中,铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池属于半导体薄膜电池,由于铜铟镓硒具备直接带隙结构,并且具有较高的吸收系数,膜层只需达到微米级就可全部吸收能力大于铜铟镓硒薄膜带宽度的入射光,因此铜铟镓硒薄膜太阳能电池可节省大量的原料,并且受稀有元素价格提升和原料短缺的影响相对较小,具有光吸收能力强,放电稳定性好、转化效率高等优点,因而具有广阔的市场前景。
铜铟镓硒薄膜太阳能电池主要有窗口层、缓冲层、吸收层、背电极和衬底组成。缓冲层的制备一般采用化学沉积法,如CSD(硫化镉)的化学沉积,利用喷嘴将溶液喷射到衬底上通过化学沉积制备。目前化学沉积在衬底上形成的硫化镉薄膜厚度无法控制,且化学沉积后铜铟镓硒薄膜太阳能电池卷表面残留硫化镉粉尘,影响电池效率,同时化学溶液喷洒不够均匀稳定。不锈钢卷在设备上受力不均匀,导致卷在走的过程中出现偏移,容易产生褶皱,溶液为达到表面反应的温度,所需时间过久,溶液供应的量无法精确控制,反应溶液在混合不均匀,对成膜效果造成影响,成膜厚度无法实时监控,卷在加热块表面容易受热不均。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型设计了一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备。
本实用新型采用如下技术方案:
一种铜铟镓硒化学水浴沉积CSD整体设备,包括依次设置的放卷辊、若干托辊、张力控制辊和收卷辊,放卷辊和收卷辊间设置有腔体,放卷辊和收卷辊间的传输通道设置于腔体内,腔体包括主反应区、前段清洗区、后段清洗区和风干区,主反应区内的传输通道上设置有均匀排列设置的传送辊,主反应区内前端顶部固定设置有化学溶液喷头,主反应区内下方位于传送辊间分别设置有加热器,每个加热器上分别设置有温度传感器,前段清洗区和后段清洗区内分别设置有清水喷头,风干区内设置有风机。
作为优选,所述主反应区前端设置有向主反应区内吹风的风机。
作为优选,所述放卷辊的放卷输出位置设置有速度编码器。
作为优选,所述腔体上设置有腔门,腔门表面透明,所述主反应区末端设置有荧光光谱仪。
作为优选,所述传送辊末端分别通过皮带与放卷辊连通。
作为优选,所述化学溶液喷头连通化学溶液供液管,化学溶液供液管上连通有预热装置。
作为优选,所述化学溶液供液管上设置有流量计。
作为优选,所述化学溶液喷头上均匀设置有多个0.02cm孔径的喷嘴,喷嘴处设置有超声波震荡器。
作为优选,所述前段清洗区和后段清洗区分别连接有废水管,清水喷头连通清水管,前段清洗区的废水管依次通过PH调节池、废水收集罐、MVR处理设备后连通清水管,后段清洗区的废水管通过过滤网后连通清水管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的