[实用新型]一种超低功耗低压差线性稳压器结构

说明书

本实用新型公开了一种超低功耗低压差线性稳压器结构，它包括：电压反馈放大器、缓冲级、输出级、限流保护电路和反馈采样电阻，电压反馈放大器与限流保护电路相连，限流保护电路与缓冲级相连，缓冲级与输出级相连，输出级输出端与反馈采样电阻相连产生反馈电压VFB接入到电压反馈放大器；解决了现有技术的低压差线性稳压器电路由于参考源、放大器、缓冲器以及限流电路等众多模块的存在；导致静态电流很难做到很低、功耗比较大等技术问题。

技术领域

本实用新型属于集成电源技术领域，尤其涉及一种超低功耗低压差线性稳压器结构。

背景技术

随着科学的进步和电子商务的发展，人们对消费类和便捷式应用的电源管理芯片的要求也越来越高。便捷式电子产品在日常生活中扮演着至关重要的角色，不管是平板、手机、掌上电脑或者是以电池供电的其他便捷式电子产品，都会有不同的功能模块，同一个电子产品中的不同模块可能需求不同数值的电流或电压，没有稳定的电流或电压，电子产品就不能正常工作。如果想要稳定的电流和电压，仅采用传统的变压器是远远达不到要求的，解决这一问题需要一种不随供电电压、负载大小和工作环境的变化而变化的稳压器，将不稳定的电压转换成稳定的、持续不断的电压，或者是将波动值降低到可接受的范围之内，以提高电池效率、延长电源供电时间和电源使用寿命。低压差线性稳压器电路（Low DropoutRegulator，LDO）的输入输出电压差很低，且不随负载电流、输入电压、温度和时间的变化而变化，可以保证系统有稳定的输出电压。

传统的低压差线性稳压器电路的转换效率并不高，输入输出电压差很大；早期标准线性稳压器采用NPN达林顿管作为调整管，其压差在2.5V~3V之间。其后的LDO线性稳压器改用PNP和NPN（LDO）结构后，其压降降为1.2V~1.5V之间。之后的低压差线性稳压器采用PNP管作为调整管，其压降可以降到0.3V~0.6V之间；由于参考源、放大器、缓冲器以及限流电路等众多模块的存在（见图2），静态电流很难做到很低，功耗比较大。

实用新型内容：

本实用新型要解决的技术问题：提供一种超低功耗低压差线性稳压器结构，以解决现有技术的低压差线性稳压器电路由于参考源、放大器、缓冲器以及限流电路等众多模块的存在；导致静态电流很难做到很低、功耗比较大等技术问题。

本实用新型技术方案

一种超低功耗低压差线性稳压器结构，它包括：电压反馈放大器、缓冲级、输出级、限流保护电路和反馈采样电阻，电压反馈放大器与限流保护电路相连，限流保护电路与缓冲级相连，缓冲级与输出级相连，输出级输出端与反馈采样电阻相连产生反馈电压VFB接入到电压反馈放大器。

所述电压反馈放大器包括耗尽型NMOS管M1、增强型NMOS管M2、增强型PMOS管M6和增强型PMOS管M7，耗尽型NMOS管M1的栅极和源极相连，漏极与增强型PMOS管M6的漏极相连，增强型NMOS管M2的栅极与反馈电压VFB相连，漏极分别与增强型PMOS管M7的漏极和增强型PMOS管M4的源极并联，增强型PMOS管M6的栅极分别与增强型PMOS管M6的漏极和增强型PMOS管M7的栅极并联。

所述缓冲级包括电阻R3，增强型NMOS管M5和增强型PMOS管M9，增强型PMOS管M9的漏极分别与增强型PMOS管M9的栅极和增强型NMOS管M5的漏极并连，增强型NMOS管M5的漏极的源极与电阻R3相连。

限流保护电路包括电阻R3，增强型NMOS管M3，增强型PMOS管M4和增强型PMOS管M8，增强型PMOS管M4的源极分别与增强型NMOS管M2的漏极和增强型NMOS管M5的栅极并连，增强型PMOS管M4的栅极分别与增强型PMOS管M8的漏极和增强型PMOS管M3的漏极并连，增强型PMOS管M3的栅极分别与电阻R3和增强型NMOS管M5的源极并连，增强型PMOS管M8的栅极与增强型PMOS管M6的栅极相连。

反馈采样电阻包括电阻R1和电阻R2，电阻R1与电阻R2串联组成的分压网络产生反馈电压VFB。