[实用新型]一种超低功耗低压差线性稳压器结构有效
| 申请号： | 201820900120.0 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208444224U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 马先林;马奎;郎宁;杨发顺;陈国辉 | 申请（专利权）人： | 贵州道森集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 商小川 |
| 地址： | 550081 贵州省贵阳市贵阳国*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压差线性稳压器 电压反馈放大器 限流保护电路 缓冲级 输出级 反馈采样电阻 超低功耗 缓冲器 放大器 本实用新型 反馈电压 静态电流 限流电路 参考源 输出端 功耗 电路 | ||
1.一种超低功耗低压差线性稳压器结构，它包括：缓冲级和限流保护电路，其特征在于：电压反馈放大器与限流保护电路相连，限流保护电路与缓冲级相连，缓冲级与输出级相连，输出级输出端与反馈采样电阻相连产生反馈电压VFB接入到电压反馈放大器。
2.根据权利要求1所述的一种超低功耗低压差线性稳压器结构，其特征在于：所述电压反馈放大器包括耗尽型NMOS管M1、增强型NMOS管M2、增强型PMOS管M6和增强型PMOS管M7，耗尽型NMOS管M1的栅极和源极相连，漏极与增强型PMOS管M6的漏极相连，增强型NMOS管M2的栅极与反馈电压VFB相连，漏极分别与增强型PMOS管M7的漏极和增强型PMOS管M4的源极并联，增强型PMOS管M6的栅极分别与增强型PMOS管M6的漏极和增强型PMOS管M7的栅极并联。
3.根据权利要求1所述的一种超低功耗低压差线性稳压器结构，其特征在于：所述缓冲级包括电阻R3，增强型NMOS管M5和增强型PMOS管M9，增强型PMOS管M9的漏极分别与增强型PMOS管M9的栅极和增强型NMOS管M5的漏极并连，增强型NMOS管M5的漏极的源极与电阻R3相连。
4.根据权利要求1所述的一种超低功耗低压差线性稳压器结构，其特征在于：限流保护电路包括电阻R3，增强型NMOS管M3，增强型PMOS管M4和增强型PMOS管M8，增强型PMOS管M4的源极分别与增强型NMOS管M2的漏极和增强型NMOS管M5的栅极并连，增强型PMOS管M4的栅极分别与增强型PMOS管M8的漏极和增强型PMOS管M3的漏极并连，增强型PMOS管M3的栅极分别与电阻R3和增强型NMOS管M5的源极并连，增强型PMOS管M8的栅极与增强型PMOS管M6的栅极相连。
5.根据权利要求1所述的一种超低功耗低压差线性稳压器结构，其特征在于：反馈采样电阻包括电阻R1和电阻R2，电阻R1与电阻R2串联组成的分压网络产生反馈电压VFB。
6.根据权利要求1所述的一种超低功耗低压差线性稳压器结构，其特征在于：输出级包括增强型PMOS管M10，增强型PMOS管M10的栅极与增强型PMOS管M9的栅极相连，漏极输出信号。
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