[实用新型]一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统有效

专利信息
申请号: 201820853887.2 申请日: 2018-06-04
公开(公告)号: CN208207060U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 邓二平;陈杰;赵志斌;郭楠伟;黄永章 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: G01R21/02 分类号: G01R21/02
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 王戈
地址: 100000 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 功率循环 试验系统 放置区 测量与控制系统 循环试验装置 半导体器件 本实用新型 水冷系统 待测半导体器件 数据采集装置 温度传感器组 半导体开关 测量系统 待测器件 辅助旁路 移动终端 直流电源 集成度 便携性 控制区 电源
【说明书】:

实用新型公开一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统,包括:循环试验装置、750A直流电源、n个半导体开关、n‑1个待测半导体器件组、辅助旁路、水冷系统、温度传感器组和测量与控制系统;所述测量与控制系统包括:数据采集装置、移动终端;本实用新型将测量系统区、开关控制区、电源放置区、待测器件放置区、水冷系统放置区集成在一个循环试验装置内,不同区域放置不同的器件,不仅满足了功能性的要求,还满足了产品实用性和便携性的要求,提高了功率循环试验系统的集成度与可靠性。

技术领域

本实用新型涉及功率循环试验技术领域,特别是涉及一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统。

背景技术

近些年电动汽车的发展十分迅速,其优良的环保节能性受到越来越多人的青睐,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电动汽车必不可少的部件,起到电平转换、交直流变换、电池充电以及系统控制的作用。IGBT模块相当于电动汽车的神经中枢,控制电动汽车的各大关键部分,可以称其为电动汽车的“心脏”。

IGBT是一种功率半导体开关,在运行过程中会存在功率损耗,损耗的能量会通过封装结构以热的形式耗散到周围的环境中。由于IGBT芯片功率密度极高,进而导致耗散热流密度高,同时由于封装结构复杂而导致的散热过程出现热应力的问题,容易造成模块失效甚至损坏,对汽车的安全行驶构成严重威胁。目前我国尚不能生产高性能、高可靠性的电动汽车IGBT模块,核心技术仍然掌握在少数发达国家的厂商手中。因此,对电动汽车用IGBT的可靠性研究对国家发展电动汽车产业具有重要的实际意义。

半导体器件可靠性的循环试验中,功率循环和温度循环试验是最重要的可靠性试验,尤其是功率循环试验,被称为主动温度循环试验,试验条件比温度循环试验更为严苛,因此是器件可靠性考核中最重要的手段。功率循环试验是通过给半导体器件施加一定的工作电流,电流产生的功率损耗加热被测器件,使其结温达到预设温度。在功率循环试验中,根器件在实际应用中一样,被测器件安装在散热器上,当负载电流通过芯片,功率损耗加热芯片,芯片的结温升高,当芯片结温达到最大目标温度时,负载电流断开,系统冷却到最低温度,这样就完成了一个循环。

功率循环试验的重要性和复杂性,表现在其系统的复杂性,目前针对电动汽车用IGBT模块的功率循环系统,国内没有成熟的试验方案和商用系统,世界上商用的功率循环系统只有美国一家公司能够开发,且同时待测器件数量最多仅限3个,且系统集成度和可靠性较低。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统,以实现提高了系统的集成度与可靠性。

为实现上述目的,本实用新型提供了一种基于750A半导体器件的功率循环试验系统,所述功率循环试验系统包括:

循环试验装置,在所述循环试验装置的内部设置测量系统区、开关控制区、电源放置区、待测器件放置区、水冷系统放置区;所述待测器件放置区与所述水冷系统放置区相邻设置;

750A直流电源,设置在所述循环试验装置的电源放置区,用于提供电能;

n个半导体开关,设置在所述循环试验装置的开关控制区内,分别与所述750A直流电源的正极相连;

n-1个待测半导体器件组和辅助旁路,分别设置在所述循环试验装置的待测器件放置区内,分别与所述n个半导体开关相连,还与750A直流电源的负极相连;

水冷系统,设置在所述循环试验装置的水冷系统放置区,用于将各待测半导体器件组产生的热量散发到空气中;

温度传感器组,设置在所述循环试验装置的待测器件放置区内,与各所述待测半导体器件组对应设置,用于采集各所述待测半导体器件组的温度;

测量与控制系统,设置在所述循环试验装置的测量系统区内;

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