[实用新型]固态硬盘异常断电保护电路及固态硬盘有效
| 申请号: | 201820842559.2 | 申请日: | 2018-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN208422416U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
| 发明(设计)人: | 李创锋;袁泳华 | 申请(专利权)人: | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 葛勤 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态硬盘 储能电容 异常断电 充电单元 放电单元 电路 本实用新型 外部电源 数据读写操作 数据信息 外部供电 硬件方式 自动充电 控制器 放电 时长 断电 充电 写入 通电 保存 保证 | ||
本实用新型提供了一种固态硬盘异常断电保护电路,包括充电单元、储能电容和放电单元,所述充电单元与所述储能电容连接,所述储能电容与所述放电单元连接,所述充电单元用于利用外部电源为所述储能电容充电,所述放电单元用于外部电源断电时将储能电容的电能提供给固态硬盘进行数据读写操作。本实用新型的有益效果在于:提供了一种结构简单合理的固态硬盘异常断电保护电路,该电路可以硬件方式实现自动充电、放电,当外部供电异常断电后,能为固态硬盘提供一定通电时长,保证固态硬盘的控制器有足够时间将DRAM的数据写入FLASH中,避免了保存的数据信息不完整的情况。
技术领域
本实用新型涉及数据存储技术领域,尤其是指一种固态硬盘异常断电保护电路及固态硬盘。
背景技术
固态硬盘(Solid State Drives),简称固盘,是用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘,由控制单元(简称NDFC)和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片) 组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与普通硬盘的完全相同,在产品外形和尺寸上也完全与普通硬盘一致。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域,绝大多数场景是采用220V市电供电,所以在实际应用过程中,难免会遇到一些突发情况导致异常断电,这样断电前的一些更新信息诸如逻辑映射表、坏块表、正在进行写操作的数据等等没有及时回写到NAND FLASH里,导致保存的数据信息不完整,同时在下次开机的时候,因为需要重构映射表、坏块表等等,会延长开机时间,给用户带来很大的不便。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:针对背景技术中的不足,提供一种结构简单的断电保护电路,在断电后能保持一定的通电时间,让控制器有足够的时间将将DRAM的数据回写到FLASH中。
为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种固态硬盘异常断电保护电路,包括充电单元、储能电容和放电单元,所述充电单元与所述储能电容连接,所述储能电容与所述放电单元连接,所述充电单元用于利用外部电源为所述储能电容充电,所述放电单元用于外部电源断电时将储能电容的电能提供给固态硬盘进行数据读写操作。
进一步的,所述充电单元包括第一三极管、第二三极管、限流电阻、第一滤波电容、第一二极管和稳压二极管,所述第一三极管的集电极与电源正极连接,所述第一三极管的基极连接于第一二极管的正极,第一二极管的负极与稳压二极管的正极连接,所述稳压二极管的负极与地连接,所述限流电阻的一端与第一三极管的集电极连接,所述限流电阻的另一端与第一三极管的基极连接,所述第一滤波电容的一端与第一二极管的正极,所述第一滤波电容的另一端与地连接;所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的集电极连接,第二三极管的发射极与所述储能电容的正极连接,所述第二三极管的基极与第二三极管的集电极连接;
所述储能电容的负极与地连接;
所述放电单元为放电二极管,所述放电二极管的正极与所述储能电容的正极连接,所述放电二极管的负极与保护电路的输出端连接。
进一步的,还包括断电检测单元,所述断电检测单元用于在外部电源断电时为固态硬盘的主控提供断电信号。
进一步的,所述断电检测单元包括第二电阻、第三电阻、第二滤波电容、第三三极管第三三极管和第四电阻,所述第二电阻的一端与电源正极连接,第二电阻的另一端与第三电阻的一端连接,第三电阻的另一端与地连接,所述第二滤波电容并联于第三电阻,所述第四电阻的一端连接于中断电源,所述第四电阻的另一端连接于主控的中断管脚,所述第三三极管的发射极与第四电阻的另一端连接,所述第三三极管的基极与第二电阻的另一端连接,所述第三三极管的集电极与地连接。
进一步的,所述第一三极管和第二三极管均为NPN型三极管,所述第三三极管为PNP型三极管。
进一步的,所述储能电容为法拉电容。
进一步的,所述法拉电容的规格为5.6V,5F。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市金泰克半导体有限公司,未经深圳市金泰克半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820842559.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有减震功能的计算机硬盘支架
- 下一篇:一种可更换电池的录音笔





