[实用新型]内衬及反应腔室

说明书

本实用新型提供的内衬及反应腔室，内衬包括环形本体以及设置在环形本体的外周壁上的凸缘，环形本体具有冷却通道，且在凸缘中设置有与冷却通道相连通的出口通道和入口通道。通过将冷却通道直接设置在环形本体中，使得冷却通道能够直接对内衬进行冷却，从而提高冷却效率。进一步地，将出口通道和入口通道设置在与腔体接触的凸缘上，避免冷却通道、出口通道和入口通道在反应腔室内产生漏水，更进一步地，即便当出口通道和入口通道处出现漏水问题，由于出口通道和入口通道位于反应腔室的侧壁上，因此，漏水问题能够及时的被使用者发现，进而避免对腔室内造成影响。

技术领域

本实用新型属于半导体制造技术领域，具体涉及一种内衬及反应腔室。

背景技术

在集成电路的制备过程中，需要物理气相沉积(Physical VaporDeposition，以下简称PVD)设备完成沉积薄膜工艺，常用的PVD设备采用磁控溅射方式沉积薄膜。典型的磁控溅射工艺的具体过程为：首先对基片进行加热，以去掉基片表面的水气；接着对基片表面进行预清洗工艺；然后在基片表面沉积一层氮化钽薄膜；最后在氮化钽薄膜上沉积一层铝薄膜。

图1A为现有的一种物理气相沉积设备的结构图，请参阅图1A，在该设备中，在腔室内设置有基座，且在该基座的上方设置有靶材8，并且在腔室的侧壁内侧环绕设置有内衬9。靶材8、基座和内衬9共同构成了等离子体产生区域15。在进行工艺的过程中，由于在该等离子体产生区域15内充满的等离子体和金属原子会产生很高的能量，造成内衬9温度升高，当内衬9温度过高时，内衬9会释放一些气体和杂质204，如图1B所示，在进行铝薄膜沉积工艺时，内衬9释放的杂质204会随沉积材料一同沉积在基片203表面，基片经过冷却后，杂质204会形成晶须杂质(Whisker Defect)205，如图1C所示，这些晶须杂质205最终影响薄膜的电性能。

为避免因内衬温度过高而产生晶须杂质，现有技术中，在腔室侧壁3内部还设有冷却水路14，用于通过腔室侧壁3间接对内衬9进行冷却。但是，由于内衬9与腔室侧壁3仅在二者的搭接处有接触，腔室侧壁3与内衬9的接触面积有限，导致冷却效率较低。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种防止工件重复工艺的方法、片盒监控装置及半导体加工系统，其用于提高内衬的冷却效率，避免产生晶须杂质。

本实用新型提供一种内衬，内衬包括环形本体，在环形本体的外周壁上设置有凸缘；环形本体具有冷却通道，且在凸缘中设置有与冷却通道相连通的出口通道和入口通道。

其中，冷却通道包括设置在环形本体的侧壁上的凹道，以及将封闭凹道以形成冷却通道的封闭件。

其中，冷却通道设置在环形本体中。

其中，冷却通道为环形，且沿环形本体的周向环绕。

其中，冷却通道为多个，多个冷却通道沿环形本体的轴向间隔设置；并且，多个的冷却通道通过至少一个连接通道相连通。

其中，每个冷却通道在周向上是非闭合的，且多个冷却通道的第一端沿环形本体的轴向排列，多个冷却通道的第二端沿环形本体的轴向排列；连接通道为两个，且均竖直设置，并且其中一个连接通道与多个冷却通道的第一端连接；其中另一个连接通道与多个冷却通道的第二端连接。

其中，冷却通道为螺旋形，且沿环形本体的周向螺旋环绕。

其中，出口通道和入口通道各自的远离冷却通道的一端位于凸缘的外周壁上。

本实用新型还提供一种反应腔室，包括腔体，及环绕设置在腔体的侧壁内侧的内衬，内衬采用本实用新型提供的内衬。