[实用新型]一种FU自保护直流偏磁接地装置有效

专利信息
申请号: 201820541614.4 申请日: 2018-04-16
公开(公告)号: CN208174259U 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 王炎;张国勇;茅东;虞江华;宋安超 申请(专利权)人: 安徽伊格瑞德电气设备有限公司
主分类号: H02H9/02 分类号: H02H9/02;H02H7/04
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 奚华保;陈进
地址: 230088 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 出线端 高速涡流 进线端 电容器 隔离开关 保护型 阻尼器 放电 熔丝 本实用新型 可控硅SCR 接地装置 直流偏磁 自保护 变压器中性点 电力系统 使用寿命 运行稳定 接地 小阻抗 中性点 隔直 共地 进线 变压器 保证
【说明书】:

实用新型涉及一种FU自保护直流偏磁接地装置,包括隔离开关G1、保护型熔丝FU、放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和可控硅SCR;所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接,隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接,保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联,放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联,高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地,可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端。本实用新型具有安全性较高、隔直效率较高、运行稳定可靠、使用寿命长等优点,且对电力系统影响很小,可保证变压器中性点为小阻抗接地。

技术领域

本实用新型涉及电网变压器中性点技术领域,尤其是一种FU自保护直流偏磁接地装置。

背景技术

随着高压及特高压直流输电技术在我国的发展,投入运行的直流工程日益增多。当直流输电系统采用单极大地回线运行方式时,电流经接地极注入大地,在极址土壤中形成一个恒定的直流电流场,分布在直流接极地附近的交流变电站和发电厂处于不同的直流电势点上,各站内主接线地网之间存在直流电势差。如果两站之间有交流线路相联,且两站主变压器中性点直接接地,则两站内主接地网之间将通过主变压器中性点、站内设备连线、站间交流线路、地电阻等形成直流回路,导致直流电流流过主变压器,经中性点或经主变压器中性点流入变压器。当变压器发生直流偏磁时,变压器的励磁电流和谐波将急剧增加,铁心饱和,温升、噪声和振动增大,并产生高次谐波,危害变压器和电力系统的稳定运行。

目前市场使用的直流偏磁隔离装置都是通过开关进行直接短接电容器,这种直流偏磁隔离装置对电容器的伤害较大,减小电容器的正常使用寿命,影响直流偏磁隔离装置的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种当变压器中性点的直流电流超过设定值时,系统立即接入本装置,从而抑制直流电流流入主变压器中性点的FU自保护直流偏磁接地装置。

为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:一种FU自保护直流偏磁接地装置,包括用于检修时形成明显电气断口的隔离开关G1、用于短路时限制电容器C投入运行时间的保护型熔丝FU、用于限制电容器C放电电流强度的放电阻尼器RL、电容器C、高速涡流开关K0和用于短路时快速短接电容器C的可控硅SCR;所述隔离开关G1的进线端与变压器的中性点连接,隔离开关G1的出线端与保护型熔丝FU的进线端相连接,保护型熔丝FU的出线端分别与高速涡流开关K0的进线端、放电阻尼器RL的进线端相联,放电阻尼器RL的出线端与电容器C的进线端相联,高速涡流开关K0的出线端与电容器C的出线端共地,可控硅SCR并联在高速涡流开关K0的两端。

所述隔离开关G1与安装在配电柜中的操作机构相连接,通过人工控制隔离开关G1的开断。

所述放电阻尼器RL由电感L和电阻R并联组成。

所述高速涡流开关K0为真空灭弧断路器,高速涡流开关K0 通过安装在配电柜中的控制器控制其开断。

所述可控硅SCR为由两组快速可控硅反并联组成,通过安装在配电柜中的控制器控制其开断。

由上述技术方案可知,本实用新型的有益效果为:本实用新型具有安全性较高、隔直效率较高、运行稳定可靠、使用寿命长等优点,且对电力系统影响很小,可保证变压器中性点为小阻抗接地。

附图说明

图1为本实用新型的电气原理图。

具体实施方式

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