[实用新型]用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片、制备系统和PERC叠瓦组件

权利要求书

1.一种用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片，所述太阳能电池片的正面包括多根间隔分布的主栅线和多根间隔分布的副栅线，所述主栅线和所述副栅线是贵金属栅线，所述太阳能电池片的背面包括背钝化膜、背面保护膜、贯穿所述背钝化膜和所述背面保护膜的开槽、以及由铝浆形成的几乎覆盖整个所述背面的铝背场，其特征在于，所述太阳能电池片的背面不具有由贵金属浆料形成的主栅线。

2.按照权利要求1所述的太阳能电池片，在所述太阳能电池片的背面预留多个切割缝。

3.按照前述权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述贵金属栅线是银栅线。

4.按照前述权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述太阳能电池片的最外侧的两根正面副栅线的两端能够设置有倒角，所述太阳能电池片在倒角处设置斜边。

5.按照前述权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述背钝化膜是三氧化二铝膜。

6.按照前述权利要求1或2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述背面保护膜是氮化硅膜。

7.一种PERC叠瓦组件，包括背板、连接层、电池串、透光连接层和透光保护层，其特征在于，所述电池串由按照前述权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池片以叠瓦方式连接而成。

8.按照权利要求7所述的PERC叠瓦组件，其特征在于，太阳能电池片之一的正面主栅线和另一太阳能电池片的铝背场通过导电胶粘剂直接连接。

9.一种制备用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片的系统，其特征在于，包括以下装置：

硅片提供装置，提供硅片作为制备所述太阳能电池片的原料；

扩散制结装置，其在所述硅片中形成N型半导体和P型半导体的交界面，即PN结；

背钝化装置，其通过PECVD或者ALD工艺在所述硅片的背面沉积一层背钝化膜；

镀背面保护膜装置，其通过PECVD工艺在所述背钝化膜上沉积一层保护膜；

激光刻槽装置，通过激光烧蚀在所述背钝化膜和所述背面保护膜中开槽，露出所述硅片；

丝网印刷装置，其使用贵金属浆料对所述硅片的正面进行丝网印刷，得到主栅线和副栅线；仅使用铝浆对所述硅片的背面进行丝网印刷，实现所述太阳能电池片的铝背场覆盖；以及快速烧结装置，其用于形成欧姆接触，能够收集和对外传导光生载流子。

10.按照权利要求9所述的系统，其特征在于，所述系统还包括表面制绒装置，其使用化学试剂在所述硅片的表面上获得绒面结构。

11.按照权利要求10所述的系统，其特征在于，所述系统还包括清洗装置，其对于在所述表面制绒装置中残留的化学试剂进行清洗。

12.按照前述权利要求9至11中任一项所述的系统，其特征在于，所述系统还包括等离子刻蚀装置，其通过等离子刻蚀将边缘PN结刻蚀去除。

13.按照权利要求12所述的系统，其特征在于，所述系统还包括抛光装置，其将所述硅片的表面抛光。

14.按照前述权利要求9至11中任一项所述的系统，其特征在于，所述系统还包括去磷硅玻璃装置，其通过化学腐蚀法去除在所述扩散制结装置中在所述硅片的表面形成的磷硅玻璃。

15.按照权利要求9至11中任一项所述的系统，其特征在于，所述系统还包括低温退火装置，用于恢复所述硅片中由在所述扩散制结装置中的高温导致的晶格缺陷。

16.按照前述权利要求9至11中任一项所述的系统，其特征在于，所述系统还包括镀减反射膜装置，其在所述硅片的正面沉积一层或多层减反射膜。