[实用新型]基于CMOS的光电加速度传感器有效

专利信息
申请号: 201820467232.1 申请日: 2018-03-30
公开(公告)号: CN208188151U 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 陆颢瓒;戴瑞萍;宁楠楠;王德波 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: G01P15/18 分类号: G01P15/18
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 210023 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 遮光板 加速度传感器 本实用新型 光电阵列 条纹位置 条纹 光照 二进制数 光敏元件 光线透过 平面加工 平行光源 灵敏度 轴运动 短波 多位 刻蚀
【权利要求书】:

1.基于CMOS的光电加速度传感器,其特征在于:

所述加速度传感器的结构从上往下依次由短波平行光源、Y向遮光板、X向遮光板和CMOS光电阵列组成;

所述Y向遮光板上刻蚀出若干条等宽且平行于X轴的长条用于透光,并通过支撑梁在X轴方向上被固定;

所述X向遮光板上刻蚀出若干条等长且平行于Y轴的长条用于透光,并通过支撑梁在Y轴方向上被固定;

所述CMOS光电阵列主要由单色CMOS光点传感器组成。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS的光电加速度传感器,其特征在于:所述单色CMOS光点传感器可将透过两个遮光板的光信号转化为电信号,CMOS单元后级经AD采样利用多位二进制数表示光信号的强弱程度。

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