[实用新型]水冷装置及单晶硅生长炉有效

专利信息
申请号: 201820384023.0 申请日: 2018-03-20
公开(公告)号: CN208038587U 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 陈家骏;邹凯;曾世铭;徐由兵;田栋东 申请(专利权)人: 包头市山晟新能源有限责任公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 阚梓瑄;王卫忠
地址: 014100 内蒙古自*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 内导流筒 水冷装置 法兰盘 单晶硅生长炉 本实用新型 外导流筒 出水口 导流筒 进水口 夹层 水套 连通 单晶硅 单晶硅棒 炉体顶部 外界连通 外部 炉盖 炉内 伸入 竖直 生长
【权利要求书】:

1.一种水冷装置,用于单晶硅生长炉,所述单晶硅生长炉包括炉盖、炉体和单晶炉热场,其特征在于,所述水冷装置包括:

法兰盘,设于所述炉体顶部,所述炉盖设于所述法兰盘上,所述法兰盘设有能与外界连通的进水口和出水口;

水套,设于所述炉内并沿竖直方向呈筒形,以形成供单晶硅棒伸入,所述水套内设有管道,所述管道的一端与所述进水口连通,另一端与所述出水口连通;

内导流筒,设于所述水套外部,所述内导流筒外部还设有外导流筒,所述内导流筒架设于所述外导流筒,所述内导流筒与所述外导流筒形成导流筒夹层。

2.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述水套为向所述炉体底部逐渐缩小的锥筒形结构。

3.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述内导流筒的上部分为竖直设置,中部分为向所述炉体底部逐渐缩小的锥筒形结构,且与所述水套的高度及角度相同,所述内导流筒的下部分与所述水套的内侧在同一直线上。

4.根据权利要求3所述的水冷装置,其特征在于,所述内导流筒的中部分与所述水套在竖直方向的倾斜角度为24度。

5.根据权利要求1所述的水冷装置,其特征在于,所述内导流筒与外导流筒的材质为石墨,所述导流筒夹层填充导热率低的材料。

6.根据权利要求5所述的水冷装置,其特征在于,所述导热率低的材料为石墨软毡或石墨固化毡。

7.根据权利要求1-3任一项所述的水冷装置,其特征在于,所述水冷装置还包括:

钼制薄壁筒,设置于所述水套上沿且与所述管道贴合;

两个水套固定架,设置于所述法兰盘与所述水套之间,与所述钼制薄壁筒贴合。

8.根据权利要求7所述的水冷装置,其特征在于,所述钼制薄壁筒沿竖直方向呈环状。

9.根据权利要求7所述的水冷装置,其特征在于,所述两个水套固定架焊接于所述法兰盘和所述水套。

10.一种单晶硅生长炉,包括炉体、炉盖和单晶炉热场,其特征在于,所述单晶硅生长炉还包括权利要求1-9任一项所述的水冷装置,所述外导流筒架设于所述单晶炉热场。

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