[实用新型]一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构

权利要求书

1.一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是以n型晶体硅片（5）作为基底，其发射极面分为发射极-导电区域和钝化-进光区域：发射极-导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层（2）和金属栅线I（1）构成，其中重掺杂p型晶体硅发射极层（2）开槽小，金属栅线I（1）开槽大，金属栅线I（1）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂p型晶体硅发射极层（2）的区域为钝化减反射层I（3）；钝化-进光区域由基底向外依次由重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）和钝化减反射层I（3）构成，这两个区域交叉分布且不重叠；

其背电场面结构分为钝化-进光区域和背电场-导电区域：钝化-进光区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层（6）、钝化减反射层II（7）；背电场-导电区域由基底向外依次为重掺杂晶体硅层（8）、金属栅线II（9），其中重掺杂晶体硅层（8）开槽小，金属栅线II（9）开槽大，金属栅线II（9）与n型晶体硅片（5）之间没有重掺杂晶体硅层（8）的区域为钝化减反射层II（7），这两个区域交叉分布且不重叠。

2.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层I（3）为氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是所述的发射极与重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）之间设一绝缘层。

4.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是所述的重掺杂n型晶体硅场钝化层I（4）的厚度为1-300nm。

5.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是所述的重掺杂晶体硅层（6）的厚度为1-100nm，为p型掺杂层。

6.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是所述的钝化减反射层II（7）为氧化铝层+氮化硅复合薄膜层。

7.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是器件表面金属栅线总覆盖面积比例为1~3%。

8.根据权利要求1所述的一种具有局域发射极特性的Si基双面太阳电池结构，其特征是重掺杂晶体硅层（8）为n型掺杂层。