[实用新型]双向可控硅触发电路及开关控制组件有效
申请号: | 201820329625.6 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN208078884U | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 严仕培;魏文燕 | 申请(专利权)人: | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06;H02M3/07 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518100 广东省深圳市南山区高新南区科技南十*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双向可控硅触发电路 负电荷泵电路 开关控制组件 正向触发信号 本实用新型 双向可控硅 触发信号 负向 双向可控硅导通 双向可控硅元件 耗散功率 拓扑结构 控制端 输出端 输入端 触发 门极 转换 | ||
本实用新型公开了一种双向可控硅触发电路以及开关控制组件,所述双向可控硅触发电路包括:发出正向触发信号的MCU控制电路;将所述MCU控制电路发出的所述正向触发信号转换为负向触发信号,并通过所述负向触发信号触发所述双向可控硅导通的负电荷泵电路;其中,所述负电荷泵电路的输入端与所述MCU控制电路的控制端连接,所述负电荷泵电路的输出端与所述双向可控硅的门极连接。本实用新型在不改变原有双向可控硅拓扑结构的基础上,减少了耗散功率,提高了双向可控硅元件的稳定性和可靠性。
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域,尤其涉及一种双向可控硅触发电路及开关控制组件。
背景技术
双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管。由于双向可控硅没有反向耐压问题且其对应的控制电路简单,使其广泛适用于交流调压、电机调速、交流开关、路灯自动开启与关闭、温度控制、台灯调光等电路控制领域。当双向可控硅与其对应的控制电路构成正电压拓扑结构时,由于正电压拓扑结构中控制电路的地端与负载回路的地端连接,使得在控制电路输出正向触发信号,双向可控硅经由正向电流触发导通,当负载接交流电时双向可控硅的触发象限不可避免的运行在第四象限,由于双向可控硅内部结构中门极离主载流区域较远,导致触发双向可控硅导通所需的触发电流大,相应的功耗也大。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种双向可控硅触发电路及开关控制组件,旨在解决触发双向可控硅导通所需的触发电流大导致功耗大的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提供一种双向可控硅触发电路,包括:
发出正向触发信号的MCU控制电路;
将所述MCU控制电路发出的所述正向触发信号转换为负向触发信号,并通过所述负向触发信号触发所述双向可控硅导通的负电荷泵电路;其中,所述负电荷泵电路的输入端与所述MCU控制电路的控制端连接,所述负电荷泵电路的输出端与所述双向可控硅的门极连接。
可选地,所述负电荷泵电路包括第一电容、第二电容、第一二极管以及第二二极管;所述第一电容的一端为所述负电荷泵电路的输入端,所述第一电容的另一端与所述第一二极管的阳极连接,所述第一电容的另一端还与所述第二二极管的阴极连接;所述第一二极管的阴极与所述MCU控制电路的地端连接;所述第二电容连接在所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极之间;所述第二二极管的阳极与第二电容连接的结点为所述负电荷泵电路的输出端。
可选地,所述双向可控硅的第一主端子和第二主端子连接负载回路,所述双向可控硅的第一主端子还与所述MCU控制电路的地端连接。
可选地,所述双向可控硅触发电路还包括分压电阻,所述分压电阻连接在所述MCU控制电路的控制端与所述负电荷泵电路的输入端之间。
可选地,所述正向触发信号为正向脉冲信号,所述负向触发信号为负向脉冲信号。
可选地,所述MCU控制电路还包括调节所述正向脉冲信号的脉冲宽度的脉冲调节单元。
此外,为实现上述目的,本实用新型还提供一种开关控制组件,包括双向可控硅以及向所述双向可控硅的门极发出触发信号的双向可控硅触发电路,所述双向可控硅触发电路是如上所述的双向可控硅触发电路。
本实用新型通过设置负电荷泵电路,从而将MCU控制电路发出的正向触发信号转为负向触发信号,并通过该负向触发信号控制所述双向可控硅导通,由此在不改变双向可控硅与其对应的控制电路构成的正向拓扑结构的基础上,利用负向触发信号导通双向可控硅,由于负向触发信号触发所需要的触发电压和电流相对较小,因此解决了触发双向可控硅导通所需的触发电流大的问题,相对于正向触发信号触发导通,减小了耗散功率,提高了双向可控硅元件的稳定性和可靠性。
附图说明
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