[实用新型]用于薄膜电池制造的承载件有效
申请号: | 201820167230.0 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN207834328U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
发明(设计)人: | 刘德臣;杨立红;陈涛;李新连 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/687 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 王赛 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜电池 承载件 卡槽 本实用新型 容纳腔 制备 匹配 制造 材料利用率 标准基板 电池制备 多个电池 制造成本 整数倍 良率 膜层 分隔 开口 | ||
1.一种用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,具有一与设置有多个电池制备区的标准基板的形状和尺寸相匹配的容纳腔,所述容纳腔被分隔为多个卡槽,所述多个卡槽分别与整数倍的连续的所述电池制备区的形状和尺寸相匹配,每一所述卡槽均具有一用于制备所述薄膜电池的膜层的开口。
2.根据权利要求1所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述多个电池制备区形成M×N的矩阵,所述多个卡槽形成X×Y的矩阵,每一所述卡槽均与(M/X)×(N/Y)矩阵的电池制备区的形状和尺寸对应,其中,M、N、X、Y、M/X和N/Y均为整数,1≤X≤M,1≤Y≤N,且(X×Y)>1。
3.根据权利要求2所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,1/4M≤X≤1/2M和/或1/4M≤Y≤1/2N。
4.根据权利要求2所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,X和Y中至少一个为1或2,且每一所述卡槽均设置有用于使第二基板进出所述卡槽的侧开口,所述第二基板为从所述标准基板上切割下来的与所述(M/X)×(N/Y)矩阵的电池制备区的形状和尺寸相同的基板。
5.根据权利要求1所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述承载件包括底座、两个侧板和至少一个隔板,所述两个侧板分别垂直设置于所述底座相对设置的两侧并与所述底座形成所述容纳腔,所述至少一个隔板设置于所述容纳腔内并与所述底座垂直设置,以将所述容纳腔分隔为所述多个卡槽。
6.根据权利要求5所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述至少一个隔板沿平行于所述两个侧板方向设置和/或垂直于所述两个侧板方向设置。
7.根据权利要求5所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述隔板为至少两个,且至少两个所述隔板中包括至少一个第一隔板和至少一个第二隔板,所述至少一个第一隔板沿平行于所述两个侧板的方向设置,并将所述容纳腔分隔为多个平行设置且两端均具有开口的子容纳腔,所述至少一个第二隔板沿垂直于所述两个侧板的方向设置,并将每一所述子容纳腔分隔为两个具有一个侧开口的卡槽。
8.根据权利要求7所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述承载件还包括限位板,所述限位板设置于所述卡槽的周边并平行于所述底座设置,所述限位板到所述底座的距离为所述标准基板的厚度,所述限位板和所述底座用于限制第二基板在其厚度方向上相对于所述承载件进行移动,所述第二基板为从所述标准基板上切割下来的与所述整数倍的连续的所述电池制备区的形状和尺寸相同的基板。
9.根据权利要求8所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述限位板的宽度W大于0mm并且小于5mm。
10.根据权利要求1所述的用于薄膜电池制造的承载件,其特征在于,所述卡槽与需要制备的非标准薄膜电池组件的形状和尺寸相匹配。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的