[实用新型]一种半导体可靠性测试结构有效
申请号: | 201820133476.6 | 申请日: | 2018-01-23 |
公开(公告)号: | CN207800555U | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 林倩;张晓明;贾国庆 | 申请(专利权)人: | 青海民族大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 810007*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丝杠 夹杆 卡杆 丝母 半导体 可靠性测试结构 配合 下端 转把 轴承 本实用新型 测试半导体 全方位旋转 测试效果 丝杠螺纹 轴承套 滑块 夹取 内壁 外壁 支杆 左端 底座 | ||
本实用新型公开了一种半导体可靠性测试结构,包括底座和支杆,所述连杆的下端设有第一夹杆,所述滑块通过连杆与第一夹杆相连,所述第一夹杆的下端设有丝母,所述丝母的内壁设有丝杠,所述丝母与丝杠螺纹相连,所述丝杠的左端设有第二转把,所述丝杠的右端设有卡杆,所述卡杆的外壁设有轴承,所述卡杆与轴承套接相连。该半导体可靠性测试结构,通过连杆与第一夹杆的配合,通过第一夹杆与丝母的配合,通过丝母与丝杠的配合,通过丝杠与第二转把的配合,通过丝杠与卡杆的配合,通过卡杆与轴承的配合,可以方便在测试半导体的时候,夹取不同大小规格的半导体,可以全方位旋转半导体,测试效果好,使用方便,实用性强。
技术领域
本实用新型涉及测试结构技术领域,具体为一种半导体可靠性测试结构。
背景技术
随着半导体技术的发展,集成电路元件的尺寸也持续收缩,在半导体工艺的后段工艺(BEOL)中通常采用金属互连层结构来实现电连接。而应力迁移(Stress Migrat ion,SM)是评价BEOL中金属互连层结构可靠性的重要测试项目之一。通常,所述金属互连层结构包括:两层以上的金属互连层,每层金属互连层中包括若干条金属互连线,若干金属互连线间填充有介电材料予以隔离,上下相邻的金属互连层结构之间也利用介电材料予以隔离,上下相邻的金属互连线通过通孔相连。由于金属互连线与介电材料的热膨胀系数差异相当大,因此当多层金属互连层结构的金属互连线所处的环境的温度产生较大的变化时,金属互连线与介电材料所受到的热应力差异也非常大,而使所述金属互连层结构内产生了所谓的应力迁移,在品粒边界处会形成很对空洞甚至出现开路,本实用新型专利设计一种半导体可靠性测试结构,解决了传统半导体可靠性测试结构不能解决的可以方便在测试半导体的时候,夹取不同大小规格的半导体,可以全方位旋转半导体,测试效果好,使用方便,实用性强的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体可靠性测试结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体可靠性测试结构,包括底座和支杆,所述底座的右侧上端设有支杆,所述支杆的上端设有套环,所述套环的内壁设有转杆,所述套环与转杆套接相连,所述转杆的右端内壁设有第一转把,所述转杆与第一转把卡接相连,所述转杆的外壁设有挡块,所述挡块与套环搭接相连,所述转杆的左端设有地第二夹杆,所述第二夹杆的上端左侧设有横板,所述横板的内壁设有滑槽,所述滑槽的内壁设有滑块,所述滑槽与滑块滑动卡接相连,所述滑块的下端设有连杆,所述连杆的下端设有第一夹杆,所述滑块通过连杆与第一夹杆相连,所述第一夹杆的下端设有丝母,所述丝母的内壁设有丝杠,所述丝母与丝杠螺纹相连,所述丝杠的左端设有第二转把,所述丝杠的右端设有卡杆,所述卡杆的外壁设有轴承,所述卡杆与轴承套接相连。
优选的,所述底座的上端设有放置槽,所述放置槽的左侧上端设有销轴,所述销轴的右端设有顶盖,所述放置槽通过销轴与顶盖活动相连,所述顶盖的右端设有顶杆,所述顶盖的下端设有卡块,所述卡块与放置槽卡接相连。
优选的,所述支杆的下端外壁设有套筒。
优选的,所述底座的下端设有垫脚。
优选的,所述第一夹杆的右端设有垫板。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该半导体可靠性测试结构,通过底座与支杆的配合,通过支杆与套环的配合,通过套环与转杆的配合,通过转杆与第一转把的配合,通过转杆与挡块的配合,通过转杆与第二夹杆的配合,通过第二夹杆与横板的配合,通过横板与滑槽的配合,通过滑槽与滑块的配合,通过滑块与连杆的配合,通过连杆与第一夹杆的配合,通过第一夹杆与丝母的配合,通过丝母与丝杠的配合,通过丝杠与第二转把的配合,通过丝杠与卡杆的配合,通过卡杆与轴承的配合,可以方便在测试半导体的时候,夹取不同大小规格的半导体,可以全方位旋转半导体,测试效果好,使用方便,实用性强。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造