[实用新型]一种数字开关电路有效
| 申请号: | 201820010284.6 | 申请日: | 2018-01-04 |
| 公开(公告)号: | CN208506533U | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
| 发明(设计)人: | 吴宗斌 | 申请(专利权)人: | 大连光耀辉科技有限公司 |
| 主分类号: | G05B19/042 | 分类号: | G05B19/042 |
| 代理公司: | 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 | 代理人: | 潘欣欣 |
| 地址: | 116085 辽宁省大连*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 中控电路 数字开关电路 栅极连接 漏极 通断 控制负载电源 带负载能力 电路电源 电路信号 电源连接 负载电源 开关控制 输出负载 整体电路 源极 申请 配合 保证 | ||
本申请公开了一种数字开关电路,包括中控电路模块、P型MOS场效应管和N型MOS场效应管;所述中控电路模块包括I/O引脚和中控电路电源;所述中控电路模块的I/O引脚与所述P型MOS场效应管的栅极连接,所述P型MOS场效应管的漏极与所述中控电路电源连接和所述N型MOS场效应管的栅极连接,所述N型MOS场效应管的漏极连接负载电源,所述N型MOS场效应管的源极用于连接输出负载。本申请通过中控电路模块、P型MOS场效应管与N型MOS场效应管之间的连接及配合,从而实现对传来的信号高速通断并精确开关控制,并通过控制负载电源通断,提高带负载能力,降低整体电路的复杂性,保证电路信号的稳定性且结构简单。
技术领域
本实用新型涉及高速电路开关领域,特别涉及一种数字开关电路。
背景技术
随着科技不断的发展,科学领域所用的科研设备越来越高端,越来越复杂,这些设备对数字开关的高速通断的要求在不断的提高,不仅要求数字信号能够高速通断,而且要求数字开关设备具有足够大的带载能力和稳定性。例如在实验室中需要这种光强的激光器,但是激光器的作为负载阻值大小都是不一样,所以每个机关器配备一个专用的控制器必定使得实验室的设备有些复杂,所以如果我们研发一个能共用的控制设备必然能减少很多实验器材的复杂性,节省很多空间,节省实验人实验的准备时间,那么对控制器的要求就是要具备一个足够大的带载能力,所以研发我们专利所申请的高速数字开关电路,本电路的带载能力达到最高,开关速度也达到各种实验需求。
实用新型内容
根据本申请的一个方面,提供了一种数字开关电路,能够实现电路高速精确控制,降低电路的复杂性,提高带负载能力和稳定性。所述数字开关电路,包括中控电路模块、P型MOS场效应管和N型MOS场效应管;
所述中控电路模块包括I/O引脚和中控电路电源;
所述中控电路模块的I/O引脚与所述P型MOS场效应管的栅极连接,所述P型MOS场效应管的漏极与所述中控电路电源连接,所述P型MOS场效应管的漏极与所述N型MOS场效应管的栅极连接,所述N型MOS场效应管的漏极连接负载电源,所述N型MOS场效应管的源极用于连接输出负载。
可选地,所述数字开关电路还包括上位机,所述上位机与所述中控电路模块信号连接。
可选地,所述数字开关电路还包括第一电阻,所述第一电阻连接在所述P型MOS场效应管的漏极与所述N型MOS场效应管的栅极之间。
可选地,所述第一电阻至少起到限流作用。
可选地,所述第一电阻的阻值范围为8kΩ至12kΩ。
进一步地,所述第一电阻的阻值为10kΩ。
可选地,所述P型MOS场效应管的型号CJ3407。
可选地,所述数字开关电路还包括第二电阻,所述第二电阻连接在所述P型MOS场效应管的漏极与中控电路电源之间。
可选地,所述第二电阻为上拉电阻。
可选地,所述第二电阻的阻值范围为8kΩ至12kΩ。
进一步地,所述第二电阻的阻值为10kΩ。
可选地,所述中控电路模块为芯片STC15W4K32S4;
可选地,所述数字开关电路还包括第三电阻,所述第三电阻连接在所述P型MOS场效应管的栅极和源极之间。
可选地,所述第三电阻为反馈电阻。
可选地,所述第三电阻的阻值范围为80kΩ至120kΩ。
进一步地,所述第三电阻的阻值为100kΩ。
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