[发明专利]一种高压硅堆引线自动装配升降装置及方法在审
申请号: | 201811635254.5 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN111383987A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 邓华鲜 | 申请(专利权)人: | 乐山希尔电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 刘军 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 引线 自动 装配 升降 装置 方法 | ||
本发明公开了一种高压硅堆引线自动装配升降装置及方法,包括机架,所述机架上固定有模具,所述模具的下方设置有顶板,所述顶板的底端固定有升降装置,所述升降装置固定在机架上,所述模具上设置有若干通孔以及与通孔数量相对应的引线,所述引线由上至下插入通孔,所述引线向下延伸其底端作用于顶板的上表面,所述引线的顶端设置与通孔内。通过丝杆直线滑台带动顶板升降,从而多个引线顺着顶板升降,能够在模具内的所有芯片上注入相同的锡膏,在每一个通孔内放入芯片进行叠加,放入芯片之间的锡膏厚度相同,从而完成合片,取代了人工合片,实现了连续合片,自动化的工作,大大提高了工作效率。
技术领域
本发明属于半导体制造技术领域,尤其涉及一种高压硅堆引线自动装配升降装置及方法。
背景技术
高压硅堆是一种硅高频高压整流二极管,工作电压在几千伏至几万伏之间,它之所以能有如此高的耐压本领,是因为它的内部是由若干个硅高频二极管的管心串联起来组合而成的。高压硅堆是由多只高压整流二极管串联而成的半导体分立器件,是高压整流电路中将交流变成直流必不可少的分立器件。
专利号为CN201110362717.7,申请日为2011-11-16,公开了一种高压硅堆二极管的焊接工艺,所述高压硅堆二极管包括相互同轴的上引线和下引线,在上引线和下引线之间焊接有三只正方形芯片,其特征在于,所述高压硅堆二极管的焊接步骤如下:
1)、一次焊接;将所述下引线置入焊接模具中,然后往所述下引线上端头依次交错叠放焊片和芯片;加温至焊接温度,保温5-15分钟,随后冷却至焊片固化;
2)、二次焊接;焊片固化后,将所述上引线置入焊接模中,使所述上引线的下端头接触所述最上层焊片;加温至焊接温度,随即冷却固化;
3)、制得。
上述专利通过将焊接改为两步,首先将芯片、焊片放置在下引线上端,确保芯片之上没有机械压力(不放置上引线,避免上引线的重力成为加载于芯片顶面的机械压力);然后加温、保温,在保温过程中,焊片融化后,如各芯片存在“错角”,上、下芯片角部之间熔融的焊料会形成方向相反的“边界”张力或表面张力,这种张力最终需要实现平衡,在实现平衡的过程中会迫使上、下芯片对角,进而消除错角现象。但是高压硅堆的引线和芯片装配不能实现自动装配,装配时需要手工一层一层放置芯片,引线长度保证难,而且锡膏与芯片焊接性和均匀性差,产品质量保证难,合格率低,不适于规模化生产。
发明内容
本发明为了克服上述现有技术的缺陷,本发明提出了一种高压硅堆引线自动装配升降装置及方法,通过多个引线顺着顶板升降,放入芯片之间的锡膏厚度相同,从而完成合片,取代了人工合片,实现了自动化的工作,大大提高了工作效率。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案如下。
一种高压硅堆引线自动装配升降装置,包括机架,其特征在于:所述机架上固定有模具,所述模具的下方设置有顶板,所述顶板的底端固定有升降装置,所述升降装置固定在机架上,所述模具上设置有若干通孔以及与通孔数量相对应的引线,所述引线由上至下插入通孔,所述引线向下延伸其底端作用于顶板的上表面,所述引线的顶端设置与通孔内。
所述升降装置包括丝杆直线滑台,所述丝杆直线滑台通过连接板固定在机架上,所述丝杆直线滑台的滑动台上固定有底板,所述底板的上表面边缘均匀分布有至少四个顶杆,所述顶杆上连接有至少两个相对设置的支撑条,所述支撑条与顶板固定连接。
所述连接板A上固定有固定板,所述固定板通过螺栓与机架连接,所述连接板A与固定板之间连接有加强筋A,所述丝杆直线滑台的滑动台通过连接板B与底板连接,所述底板与连接板B之间连接有加强筋B。
所述丝杆直线滑台的驱动装置采用伺服电机,所述伺服电机连接有PLC控制器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造