[发明专利]一种低损耗铁氧体材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201811634518.5 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN109704409A 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 瞿德林;王久如;李丛俊 申请(专利权)人: 天长市中德电子有限公司
主分类号: C01G49/00 分类号: C01G49/00;H01F1/37
代理公司: 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 代理人: 金宇平
地址: 239300 安徽省滁州市天长*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 低损耗铁氧体 铁氧体材料 制备 低磁滞损耗 饱和磁通 导磁率
【说明书】:

发明涉及铁氧体材料,具体涉及一种低损耗铁氧体材料,其原料包括主成分和辅助成分;所述主成分包括Fe2O3、Mn2O3、ZnO;所述辅助成分包括CaO、La2(CO3)3·8H2O、CeO2·nH2O。本发明还公开了上述铁氧体材料的制备方法。本发明具有良好的初始导磁率和饱和磁通密度,且具有较低磁滞损耗。

技术领域

本发明涉及铁氧体材料,具体涉及一种低损耗铁氧体材料及其制备方法。

背景技术

铁氧体材料,其主成分常含有规定量的氧化铁、氧化铜、氧化锌以及氧化镍等,其辅助成分常含有规定量的氧化铋、氧化硅、氧化镁、氧化钴等,以此构成铁氧体材料。铁氧体材料的应用范围极其广泛,不仅应用于家电领域、信息化领域、汽车领域和其他配套领域,更主要的是作为电子元器件生产的主要原材料。但随着电子行业的发展与应用领域的扩展,对铁氧体材料的要求也越来越高,现有铁氧体材料的性能已不能满足市场的需求,特别是其在使用中损耗较大,给其应用带来了局限性。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了一种低损耗铁氧体材料及其制备方法。本发明具有良好的初始导磁率和饱和磁通密度,且具有较低的磁滞损耗。

本发明提出的一种低损耗铁氧体材料,其原料包括主成分和辅助成分,所述主成分包括Fe2O3、Mn2O3、ZnO;所述辅助成分包括CaO、La2(CO3)3·8H2O、CeO2·nH2O。

优选地,所述主成分包括53.2-53.5mol%Fe2O3、35.0-35.8mol%Mn2O3、11.0-11.5mol%ZnO;相对于主成分,所述辅助成分包括10-300ppm CaO、200-300ppm La2(CO3)3·8H2O、100-260ppm CeO2·nH2O。

优选地,所述La2(CO3)3·8H2O的制备方法如下:以0.05-1mL/s的速度向氯化镧溶液中加入碳酸氢钠溶液后抽滤,将得到的固状物进行洗涤,干燥,得到La2(CO3)3·8H2O。

优选地,所述氯化镧溶液与碳酸氢钠溶液的体积比为1:5.5-7.5;所述氯化镧溶液的浓度为1.5-2.5mol/L;所述碳酸氢钠溶液的浓度为0.5-3mol/L。

优选地,所述CeO2·nH2O的制备方法如下:将Ce(SO4)2·6H2O溶于去离子水中,加入氨水溶液,60-70℃下水浴搅拌反应2-3h,静置8-10h,过滤,洗涤,干燥,得到CeO2·nH2O。

优选地,所述CeO2·nH2O的制备方法如下:将Ce(SO4)2·6H2O溶于去离子水中,加入氨水溶液,65℃下水浴搅拌反应2.5h,静置9h,过滤,洗涤,干燥,得到CeO2·nH2O;所述氨水溶液的质量分数为30-35wt%。

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