[发明专利]一种高功率准连续半导体激光器芯片在审
| 申请号： | 201811625897.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109616869A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李青民;孙丞;仇伯仓;李波 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连续半导体激光器 高功率 上层 芯片 绝缘层 远场发散角 侧面 金属电极 器件表面 器件性能 中部区域 阈值电流 弯折 覆盖 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种高功率准连续半导体激光器芯片，包括自下而上依次设置的衬底、N型缓冲层、N型限制层、波导层、P型限制层、P型接触层以及金属电极，并在金属电极外围的器件表面以及两侧隔离槽处设置有绝缘层；其特征在于：
所述P型限制层为台阶形态，其中，台阶上层限于台阶基础的中部区域，所述P型接触层限于该台阶上层的表面；所述绝缘层在器件表面相应形成弯折形态，依次覆盖于：1)P型接触层表面未被金属电极覆盖的区域、2)P型接触层侧面和所述台阶上层的侧面、以及3)所述台阶基础的表面。
2.根据权利要求1所述的高功率准连续半导体激光器芯片，其特征在于：所述P型接触层与P型限制层的台阶上层在竖直方向上均为端直柱形。
3.根据权利要求1所述的高功率准连续半导体激光器芯片，其特征在于：所述P型接触层与P型限制层的台阶上层的幅面尺寸相等。
4.根据权利要求1所述的高功率准连续半导体激光器芯片，其特征在于：P型限制层台阶上层以及P型接触层的高度之和为0.5～1.5μm，两侧的台阶宽度分别为10～20μm。
5.根据权利要求1所述的高功率准连续半导体激光器芯片，其特征在于：对应于绝缘层两侧的隔离槽宽度为5-10μm，深度方向上隔离槽至少刻蚀至N型缓冲层。
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