[发明专利]二氧化硅层、其制造方法、形成其的组合物及电子装置

说明书

本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。

技术领域

本公开涉及一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于制造二氧化硅层的方法以及一种通过所述方法制造的二氧化硅层及电子装置。

背景技术

随着半导体技术的发展，为了增加较小半导体芯片的集成度并且改善性能，已对具有高集成度及高速度的半导体存储单元进行研究。然而，由于半导体需要高集成度并且各线之间的空间变得较窄，因此可能出现RC延迟、串扰、响应速度劣化等，并因此导致在半导体互连方面的问题。为了解决这一问题，可能需要各装置之间适当分隔。

因此，各装置之间的适当分隔是通过广泛使用由含硅材料形成的二氧化硅层作为半导体装置的层间绝缘层、平坦化层、钝化膜、各装置之间的绝缘层等来进行。二氧化硅层用作显示装置等以及半导体装置的保护层、绝缘层等。

一般来说，二氧化硅层是通过将含硅材料涂布在装置的预定区中并对所述含硅材料进行固化来形成。当将用于形成二氧化硅层的组合物放置在空气中时，会增大所述组合物的混浊度，且所述组合物会与大气中的水分发生反应，因而会降低处置稳定性。

发明内容

一实施例提供一种当放置在空气中时混浊度的增加率降低的用于形成二氧化硅层的组合物。

另一个实施例提供一种使用所述用于形成二氧化硅层的组合物制造二氧化硅层的方法。

又一个实施例提供一种具有低的缺陷产生及均匀厚度的二氧化硅层。

再一个实施例提供一种包括所述二氧化硅层的电子装置。

根据实施例，一种用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1。

[方程式1]

0.98≤B/A≤1.24

在方程式1中，

A指示在凝胶渗透色谱(gel permeation chromatography，GPC)曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且

B指示在GPC曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。

以所述用于形成二氧化硅层的组合物的总量计，可包含0.1重量％到30重量％的量的所述含硅聚合物。

根据另一个实施例，一种用于制造二氧化硅层的方法包括：将用于形成二氧化硅层的组合物涂布在衬底上；对涂布有用于形成二氧化硅层的组合物的衬底进行干燥；以及在大于或等于150℃的包括惰性气体的气氛下对所述衬底进行固化。

所述用于形成二氧化硅层的组合物可利用旋涂方法涂布。

根据另一个实施例，提供一种通过所述制造方法形成的二氧化硅层。

根据另一个实施例，提供一种包括所述二氧化硅层的电子装置。