[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 201811607677.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN110048011A | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 金石;金起范;朴声国 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机发光层 光学路径 有机发光显示装置 像素限定膜 折射率 基底 转换器 转换构件 开口 暴露 | ||
1.有机发光显示装置,包括:
基底;
第一有机发光层,位于所述基底上;
像素限定膜,位于所述基底上,并具有至少部分地暴露所述第一有机发光层的第一开口;以及
光学路径转换器,位于所述像素限定膜上并与所述第一有机发光层重叠,所述光学路径转换器包括具有第一折射率的第一光学路径转换构件和具有比所述第一折射率低的第二折射率的第二光学路径转换构件,
其中:
所述第一光学路径转换构件具有第一表面、第二表面、第一侧表面和第二侧表面,其中,所述第二表面与所述第一光学路径转换构件的所述第一表面相对并且比所述第一光学路径转换构件的所述第一表面短,所述第一侧表面连接所述第一光学路径转换构件的所述第一表面的第一侧和所述第二表面的第一侧,所述第二侧表面连接所述第一光学路径转换构件的所述第一表面的第二侧和所述第二表面的第二侧,
所述第二光学路径转换构件围绕所述第一光学路径转换构件的所述第一侧表面和所述第二侧表面,以及
所述第一光学路径转换构件的所述第二表面的长度比所述像素限定膜的所述第一开口的长度大。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一光学路径转换构件具有梯形剖面形状。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二光学路径转换构件为空气层。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第二光学路径转换构件与所述第一光学路径转换构件的所述第一侧表面和所述第二侧表面直接接触。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述光学路径转换器还包括位于所述像素限定膜与所述第一光学路径转换构件之间的平坦化层。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述平坦化层的折射率高于或等于所述第一光学路径转换构件的折射率。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
第一封装层,位于所述光学路径转换器上,
其中,所述第一封装层为玻璃绝缘基底。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,还包括:
第二封装层,位于所述像素限定膜与所述第一光学路径转换构件之间,
其中,所述第二封装层包括有机层和无机层。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述光学路径转换器还包括第三光学路径转换构件,所述第三光学路径转换构件在所述第一光学路径转换构件的外部围绕所述第一光学路径转换构件。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述第三光学路径转换构件具有梯形剖面形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司,未经三星显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811607677.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种QLED器件及其制备方法、显示面板
- 下一篇:显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择