[发明专利]一种包含不同透光性的新型光学掩膜版

说明书

本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种包含不同透光性的新型光学掩膜版，其制备方法包括以下步骤：a、选取基板；b、在玻璃基板表面镀铬金属膜层；c、铬膜上涂覆光刻胶；d、通过电子束曝光设定图形区域内的光刻胶；e、浸泡刻蚀液；f、去除剩余光刻胶；g、在玻璃基板上镀上部分透光薄膜；h、在部分透光薄膜上均匀涂覆光刻胶；i、通过电子束曝光设定图形区域内的光刻胶；j、浸泡刻蚀液或干法蚀刻；k、去除剩余光刻胶，形成新型光学掩膜版；本申请提供了一种包含不同透光性的新型光学掩膜版，可针对实际需要，一次光刻做出不同高度台阶的光刻胶图形，减少光刻步骤，满足光刻掩膜要求，可在实际的工业生产中被进一步推广。

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，具体涉及一种包含不同透光性的新型光学掩膜版。

背景技术

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。光刻技术是指在光照作用下，借助光刻胶将光刻板上的图形转移到基片上的技术。光学掩模版在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光刻胶涂层选择性曝光的一种结构。掩膜版应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩膜版，如IC（IntegratedCircuit，集成电路）、FPD（Flat Panel Display，平板显示器）、PCB（Printed CircuitBoards，印刷电路板）、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统）等。

常规的光学掩膜版由有透光和不透光区域组成精确的设计图形，在实际使光刻用中，不透光区域阻止光通过对光刻胶曝光，而透光区域允许光透过对光刻胶进行曝光，经过显影后，经过曝光区域光刻胶去除（或保留），而未曝光区域光刻胶保留（或去除），最终在基板上形成设定的图形。

在光刻实际使用过程中，许多制程中需要光刻胶形成多台阶形貌的效果，用常规的光学掩膜版进行光刻时，必须通过多次曝光才能形成台阶形貌，制备流程较为繁琐。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种包含不同透光性的新型光学掩膜版，通过不同透光性的新型光学掩膜版的应用，只需一次曝光即可于基板上形成台阶形貌，简化了制备流程。

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种包含不同透光性的新型光学掩膜版，其制备方法包括以下步骤：

a、选取在紫外光波段透过率较高的光学玻璃作为光学掩膜版的基板；

b、在玻璃基板表面镀上一层铬金属膜层；

c、在镀有铬膜的玻璃基板上均匀涂覆一层光刻胶；

d、通过电子束曝光设定图形区域内的光刻胶，使之发生反应，接着通过显影液显影，最终形成带有光刻胶图案的玻璃基板；

e、浸泡刻蚀液，将未有光刻胶覆盖区域的铬膜去除，其余部分保留；

f、去除剩余光刻胶，形成带有全透光和全阻光设计图形的玻璃基板；

g、在玻璃基板上继续镀上一层部分透光薄膜；

h、在镀有部分透光薄膜的玻璃基板上均匀涂覆一层光刻胶；

i、通过电子束曝光设定图形区域内的光刻胶，使之发生反应，然后通过显影液显影，最终形成带有光刻胶图案的玻璃基板；

j、通过浸泡刻蚀液或干法蚀刻，将未有光刻胶覆盖区域的镀膜去除，其余部分保留；

k、去除剩余光刻胶，形成带有不同透光性的新型光学掩膜版。

优选地，步骤a中所述基板厚度为0.1mm-10mm。

优选地，步骤a中所述基板可选用苏打玻璃、石英玻璃中的任意一种。