[发明专利]一种可重构双频带混频器

权利要求书

1.一种可重构双频带混频器，其特征在于，所述混频器包括：

负载和buffer级电路、开关级电路、本振输入端匹配网络、级间匹配电路、跨导级电路、开关选频匹配网络电路；其中，负载和buffer级电路与开关级电路连接，本振输入端匹配网络与开关级电路连接，级间匹配电路与开关级电路连接，级间匹配电路与跨导级电路连接，跨导级电路与开关选频匹配网络电路连接；

负载和buffer级电路用于将IF电流转换为混频器的放大IF电压，buffer级电路用于提高增益；

开关级电路中绝缘栅场效应晶体管工作在弱反型区，用于本振信号和射频信号的混频，实现频率变换；

本振输入端匹配网络用于将本振输入的单端信号转换为差分信号，实现本振端宽带信号输入及匹配；

级间匹配电路用于减小跨导级漏极寄生电容和开关级源极寄生电容的影响；

跨导级电路用于分别传输不同频段的信号；

开关选频匹配网络电路用于实现射频输入信号在两个频段带间的切换；

所述开关选频匹配网络电路包括：第五电感L1、第六电感L2、第七电感L3、第八电感L4、第三电容C1、第四电容C2、第五电容C3、第六电容C4、第十一N型绝缘栅场效应晶体管NM11、第十二N型绝缘栅场效应晶体管NM12、第十三N型绝缘栅场效应晶体管NM13；C1的正极和L2的一端均与射频信号输入端连接，C1的负极接地，L1与L2相互耦合，L2的另一端与C2的正极、C3的正极均连接，C3的负极与L4的一端连接，L4的另一端接地，L3与L4相互耦合，C2的负极与NM13漏极连接，NM13的源极接地，NM13的栅极与控制电压Vc3端连接；NM11的栅极与控制电压Vc1端连接，NM11的漏极与跨导级电路、电压Vb1端、L1的一端均连接，NM11的源极与电压Vb1端、跨导级电路、L1的另一端均连接；NM12的栅极与控制电压Vc2端连接，NM12的漏极与跨导级电路、电压Vb2端、L3的一端、C4的正极均连接，NM12的源极与电压Vb2端、跨导级电路、L3的另一端、C4的负极均连接。

2.根据权利要求1所述的可重构双频带混频器，其特征在于，负载包括第一电阻R7、第二电阻R8；buffer级电路包括：第一N型绝缘栅场效应晶体管NM9、第二N型绝缘栅场效应晶体管NM10、第一P型绝缘栅场效应晶体管PM1、第二P型绝缘栅场效应晶体管PM2，第三电阻R9、第四电阻R10；R9的一端、PM1的漏极、NM9的漏极均与正输出端IF+连接；PM1的漏极与电源电压连接，PM1的栅极与R9的另一端、R7的一端、开关级电路、NM9的栅极均连接，NM9的源极接地；R7的另一端与R8的一端、电源电压均连接，R8的另一端与开关级电路、R10的一端、PM2的栅极、NM10的栅极均连接；PM2的漏极与电源电压连接，PM2的漏极、R10的另一端、NM10的漏极均与负输出端IF-连接，NM10的源极接地。

3.根据权利要求2所述的可重构双频带混频器，其特征在于，中频输出buffer中的P型绝缘栅场效应晶体管的栅宽大于N型绝缘栅场效应晶体管的栅宽，中频输出buffer中的P型绝缘栅场效应晶体管与N型绝缘栅场效应晶体管组成非完全对称buffer结构，该非完全对称buffer结构用于保障MOS管NM9、NM10、PM1和PM2工作在最佳状态提高增益。

4.根据权利要求1所述的可重构双频带混频器，其特征在于，开关级电路包括：

第三N型绝缘栅场效应晶体管NM5、第四N型绝缘栅场效应晶体管NM6、第五N型绝缘栅场效应晶体管NM7、第六N型绝缘栅场效应晶体管NM8；NM5的漏极、NM6的漏极、NM7的漏极、NM8的漏极均与负载和buffer级电路连接，NM5的源极、NM6的源极、NM7的源极、NM8的源极均与级间匹配电路连接，NM5的栅极、NM6的栅极、NM7的栅极、NM8的栅极均与匹配网络连接。

5.根据权利要求4所述的可重构双频带混频器，其特征在于，NM5、NM6、NM7、NM8均工作在弱反型区。