[发明专利]硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版在审
申请号: | 201811592814.3 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109714000A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 李硕;陈瑶 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H02S50/10 | 分类号: | H02S50/10 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨金 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属化 复合 硅片表面 测试 硅片 测试网 测试过程 工艺优化 性能评估 减小 浆料 清洗 | ||
本发明提供了一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版,包括选取硅片,所述硅片区分为第一部分与第二部分,在第二部分的一侧表面进行金属化;清洗硅片,再分别测试得到第一部分的复合电流密度J0test1及第二部分的复合电流密度J0test2;所述硅片表面金属化界面的复合电流密度J0me‑Si可通过测试得到的J0test2,结合第一部分表面的复合电流密度J0s1、J0s2以及第二部分的金属化面积占比求算得到。本发明测试方法通过对硅片不同位置的测试,即可直接得到硅片表面金属化界面的复合电流密度J0me‑Si,便于浆料性能评估及工艺优化,且测试过程更简洁,减小材料耗费。
技术领域
本发明涉及光伏检测技术领域,特别涉及一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版。
背景技术
随着光伏产业的迅速发展,市场对于太阳能电池及组件的性能及转换效率也提出了更高的要求。目前,晶体硅电池仍占据市场重要地位,相应的硅片通过表面印刷、烧结得到栅线,实现欧姆接触。一般地,晶体硅电池的正面先通过丝网印刷Ag浆栅线,再经高温烧结,使得Ag浆能够烧穿SiNx膜,并与Si形成良好的欧姆接触;背面则通过印刷Al浆,高温烧结后形成Al-Si合金,同时部分Al+掺杂进硅片背面,形成背表面场。
就双面电池而言,其正面与背面均需接收辐照光线,以提高光生电流及转换效率。因此,双面电池的背面无法印制全铝背场,而是将Al浆按既定图案印刷得到相应的Al浆栅线。一般需采用激光开窗,再进行精确定位以将Al浆印刷在相应的开窗区域得到Al浆栅线,烧结形成Al-Si合金及背表面场;业内现亦积极开发能够直接“烧穿”硅片背表面膜层的Al浆,以简化双面电池的工艺制程。
前述印刷、烧结制程会影响晶体硅电池的性能,此一点很大程度取决于烧结后的电池表面金属化界面的复合电流密度J0的大小,如:Al-Si金属化界面的复合电流密度J0Al-Si越低,相应的双面电池的开压越高。上述金属化界面复合电流密度J0与浆料的性能密切相关,可作为评估浆料优劣的重要参数;并且,准确地测试浆料的复合能力,亦有助于现场工艺的调节优化。当前,晶体硅电池表面金属化界面的复合电流密度J0主要通过QSSPC(准稳态光电导)技术测试得到,在对烧结后的电池片进行上述测试前,需要将电池片表面的金属栅线通过无机酸等溶液清洗去除。电池片的清洗处理过程复杂,药液耗费较多;且电池片既定区域的测试结果是正面复合电流和背面复合电流之和,较难直接对浆料的复合性能进行评估。
鉴于此,有必要提供一种新的硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版。
发明内容
本发明目的在于提供一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法及测试网版,能够方便得到硅片表面金属化界面的复合电流密度J0me-Si,且测试过程更简洁,还能减小材料损耗。
为实现上述发明目的,本发明提供一种硅片表面金属化界面的复合电流密度测试方法,主要包括:
选取硅片,所述硅片区分为第一部分与第二部分,在第二部分的一侧表面进行金属化;
清洗硅片,去除表面金属相并使得硅片表面的金属化界面向外暴露,分别测试得到第一部分的复合电流密度J0test1及第二部分的复合电流密度J0test2,得算式如下:
J0test1=J0s1+J0s2
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