[发明专利]一种低温立状石墨烯的生长方法在审
| 申请号： | 201811592574.7 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109987599A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王刚;李久荣;陈达;朱伟;胡绪瑞;赵梦晗 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;G01N33/00 |
| 代理公司： | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人： | 丁少华 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 柱状 二氧化硅基片 等离子体增强化学气相沉积 石英管 立状 等离子体射频 加热石英管 氩气 反应条件 反应要求 宽度比较 形貌特征 氢气 生长 抽真空 甲烷 能耗 认知 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温立状石墨烯的生长方法，其特征在于：包括如下步骤
步骤①：准备二氧化硅基片；
步骤②：将二氧化硅基片水平放置在石英管中，对石英管内进行抽真空，之后通入氢气和氩气，并加热石英管至450℃，开启等离子体射频源，以甲烷为碳源在二氧化硅基片表面进行等离子体增强化学气相沉积，形成柱状石墨烯，柱状石墨烯的宽度为0.2μm-0.4μm。
2.根据权利要求1所述的低温立状石墨烯的生长方法，其特征在于：沉积时间为20min-25min，柱状石墨烯的平均厚度为230nm-240nm。
3.根据权利要求2所述的低温立状石墨烯的生长方法，其特征在于：等离子体射频功率为350W-400W，石墨烯纳米墙的水接触角为130°-137°。
4.根据权利要求3所述的低温立状石墨烯的生长方法，其特征在于：步骤①完成后，在二氧化硅基片表面采用电子束蒸发形成源极和漏极，制造成传感器装置，对气体进行检测。
5.根据权利要求4所述的低温立状石墨烯的生长方法，其特征在于：检测的气体为氨气。
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