[发明专利]一种含氰基的硅烷化合物、填料及其制备方法和覆铜板

说明书

本发明公开一种含氰基的硅烷化合物，所述含氰基的硅烷化合物的化学式为CNC₆H₄CH₂CH₂Si(OCH₃)₃，分子式为：本发明还提供一种该含氰基的硅烷化合物的生产方法，由该含氰基的硅烷化合物制得的填料及该填料的制备方法，以及还有该填料的覆铜板；与现有技术相比，本发明提供的含氰基的硅烷化合物，结构简单制备成本低，该含氰基的硅烷化合物及含有该含氰基的硅烷化合物的填料的制备工艺简单，该填料具有高的比表面积及低热膨胀系数，使得在受热和受压时，环氧树脂在流动状态下粘度变高，不易流出覆铜板，可以确保在生产覆铜板的过程中不会出现缺胶的问题，降低生产成本。

技术领域

本实发明涉及一种填料，尤其是提供一种应用于覆铜板制造领域的填料。

背景技术

现有技术中，在覆铜板用树脂混合物中添加无机粉体作为填料是覆铜板行业中的通行做法。随着先进通讯设备和技术的发展，广泛应用于通讯领域的各种高频电子设备的需求也在飞速增长。为了满足高频信号的传输，高传输速度和高频低损耗的需求，各种低介电常熟的覆铜板基材也在不断的发展中。CN105131527B公开了一种介电常数为3.75的覆铜板，包括其公开的对比例在内的产品的介电常数都大于3.6，属于极性物质，仍然无法满足一些对介电常数有更高要求的应用环境。

在制造覆铜板的过程中，由于高分子环氧树脂受热和压力的情况下会大量外流，使得制得的覆铜板出现缺胶的情况。为此，现有技术中的一种解决方案为会添加在受热和受压的条件下流动度较低的树脂，例如高粘度的环氧树脂，但这种树脂的价格较高，同时添加过多也会导致材料的热膨胀系数(CTE)过大。现有技术中的另一种解决方案为，通过加大固化剂和促进剂的量来实现增大树脂的固化程度的目的，但是由于固化剂和促进剂都是一种极性强的材料，使用这些材料会导致覆铜板的介电常数增加。

发明内容

为了克服现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种含氰基的硅烷化合物及含有该化合物的高比表面积的填料，来克服覆铜板缺胶的问题。

本发明中提供的一种含氰基的硅烷化合物，所述含氰基的硅烷化合物的化学式为CNC₆H₄CH₂CH₂Si(OCH₃)₃，分子式为：

本发明提供了一种含氰基的硅烷化合物的制备方法，包括如下步骤：

将三甲氧基硅烷和4-氰基苯乙烯混合后搅拌，精馏提纯后制得所述含氰基的硅烷化合物。具体的，将三甲氧基硅烷和4-氰基苯乙烯在100℃～180℃，0.2-3Mpa的条件下，以20-1500rpm的速度搅拌，精馏提纯后制得所述含氰基的硅烷化合物。

本发明的另一个目的在于提供一种高比表面积，低介电常数及低CTE的填料，进一步使得覆铜板具有低的介电常数及低CTE。一种填料的制备方法，以本发明中提供的含氰基的硅烷化合物为原料，包括如下步骤：

在所述含氰基的硅烷化合物中加入氨水制得混合溶液并搅拌，所述混合溶液的PH值介于6和11之间，反应温度介于90℃和350℃之间，搅拌速度介于0rpm与4000rpm之间，反应时间介于2小时与30小时之间，制得所述填料。

该填料，用于制造覆铜板，所述填料含有所述含氰基的硅烷化合物上除甲氧基外的全部基团。

优选地，所述填料的热膨胀系数为0.4-1.0ppm/℃。

优选地，所述填料呈球形。

优选地，所述填料的比表面积为100-500m²/g。

优选地，所述填料的介电常数为3-3.5。