[发明专利]非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法

说明书

本发明提供一种非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法，在第一空穴注入层和第二电子传输层之间设置第二界面修饰层组成串联连接两个电致发光单元的连接层复合结构。本发明增加在一个电致发光单元的空穴注入层和另一个电致发光单元的电子传输层之间设置界面修饰层，通过空穴注入层/界面修饰层/电子传输层形成复合连接结构，作为连接层串联连接两个电致发光单元，该量子点发光器件适用于红、黄、绿、蓝四种颜色发光并能够有效地提高器件发光效率、亮度及寿命。

技术领域

本发明涉及一种量子点发光器件及其制备方法，特别是涉及一种倒置量子点发光器件及其制备方法，应用于新型显示器件制造技术领域。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)由于其具有发光色域广、颜色饱和度高、亮度高、效率高以及低成本制造等独特优势，在新型显示和固态照明领域万受瞩目，具有广阔的应用价值。

使用串联结构是一种提高发光二极管的效率和寿命的有效方法，串联量子点发光器件也受到广泛关注。一般的倒置串联QLED是通过PEDOT:PSS/氧化锌纳米粒作为连接层串联连接两个电致发光单元，但是PEDOT:PSS水性分散体由于具有吸湿性会对器件稳定性造成严重的影响，此外，PEDOT:PSS薄膜容易受到多层溶液旋涂工艺的破坏，导致器件效率和重复性均偏低。随着显示和照明市场向高效率、长寿命发光器件方向发展，QLED还要面临在高电流密度下，器件的工作寿命将因库仑退化，过热而显著降低的难题。串联发光器件是由若干单元器件的串联通过单个电源驱动的发光器件，可以实现在低电流密度下驱动高亮度、高效率和长寿命的发光器件。因此，在量子点发光器件的市场应用方向，串联器件的研究至关重要，如何更有效地提高器件发光效率、亮度及寿命，尤其是量子点器件的稳定性仍然是需要亟待解决的技术问题。

发明内容

为了解决现有技术问题，本发明的目的在于克服已有技术存在的不足，提供一种非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件及其制备方法，增加在一个电致发光单元的空穴注入层和另一个电致发光单元的电子传输层之间设置界面修饰层，通过空穴注入层/界面修饰层/电子传输层形成复合连接结构，作为连接层串联连接两个电致发光单元，该量子点发光器件适用于红、黄、绿、蓝四种颜色发光并能够有效地提高器件发光效率、亮度及寿命。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种非PEDOT:PSS倒置串联量子点发光器件，主要包括基底、第一发光单元和阳极，从下而上将基底、第一发光单元、第二发光单元、阳极组成倒置串联发光器件结构，基底设有ITO薄膜阴极；第一发光单元具有由第一电子传输层、第一量子点发光层、第一界面修饰层、第一空穴传输层和第一空穴注入层的各层从下而上组成第一发光单元结构；第二发光单元具有由第二界面修饰层、第二电子传输层、第二量子点发光层、第二空穴传输层和第二空穴注入层的各层从下而上组成第二发光单元结构；阳极设置于第二发光单元顶部；在第一空穴注入层和第二电子传输层之间设置第二界面修饰层组成串联连接两个电致发光单元的连接层复合结构。

作为本发明优选的技术方案，第一空穴注入层采用PMA薄膜，PMA薄膜的厚度为8～10nm；第二电子传输层为氧化锌薄膜，氧化锌薄膜厚度为60～65nm；第二界面修饰层采用金属界面层薄膜，金属界面层薄膜的厚度为3～5nm，金属界面层薄膜为以金属为基体的金属-金属浅层金属氧化物梯度材料的复合材料薄膜，从而形成PMA薄膜/金属界面层薄膜/氧化锌薄膜组成的三明治形式的复合连接结构，将两个电致发光单元进行串联连接。优选上述金属界面层薄膜采用纳米Al薄膜，金属Al界面层薄膜及其表层AlO_x氧化膜优选形成Al:AlO_x梯度材料复合材料薄膜。

优选上述ITO薄膜阴极厚度为100～150nm；优选上述阳极厚度为100～150nm。