[发明专利]故障指示器全桥翻盘电路

说明书

本发明提供了一种故障指示器全桥翻盘电路，包括控制器，NMOS管G极经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1集电极经电阻R2连接至PMOS管G4的G极组成翻盘控制电路；NMOS管G2的极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，三极管T2集电极经电阻R1连接至PMOS管G3的G极，PMOS管D极与PMOS管G4的D极之间通过驱动线圈L1连接，组成复位控制电路。本发明所述的故障指示器全桥翻盘电路，采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的开关受控，充放电更快，MOS管导通电阻很小，压降几乎为0，因此可以充分利用电容电压，从而简化电路、节约板材空间，降低了经济成本。

技术领域

本发明属于指示器电路领域，尤其是涉及一种故障指示器全桥翻盘电路。

背景技术

现有的外施故障指示器翻盘电路原理为指示器检测到线路故障后CPU发出翻盘信号，MCR16-100可控硅导通对应电容进行放电，从而指示器翻盘，但是目前存在如下：1.可控硅的关断点苛刻，电容放电必须放到关断点电压一下才能够进行翻盘动作；2.翻盘、复归使用两个电容，浪费板材空间；3.可控硅的管压降较大，可利用电压小；4.高温时电容的漏电流变大，电容充不满；低温时电容容量降低，从而导致在高低温条件时会影响电容容量造成翻盘不可靠的现象。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种故障指示器全桥翻盘电路，以提供一种电路简单、充放电更快、开关受控、可靠性高的故障指示器全桥翻盘电路。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种故障指示器全桥翻盘电路，包括控制器、NMOS管、PMOS管、三极管、电容C1和电容C2，所述控制器是型号为MSP430F247T的单片机，NMOS管G1的S极接地，D极连接至PMOS管G3的D极，所述NMOS管G1的G极经分别经电阻R7连接至所述控制器的第27引脚、经电阻R3连接至三极管T1的基极，所述三极管T1的发射极接地，集电极分别经电阻R5连接至电阻R7的第一端、经电阻R2连接至PMOS管G4的G极，所述PMOS管G4的S极连接至所述电阻R7的第一端，组成翻盘控制电路；所述PMOS管G4的D极连接至NMOS管G2的D极，所述NMOS管G2的S极接地，G极分别经电阻R9连接至所述控制器的第30引脚、经电阻R4连接至三极管T2的基极，所述三极管T2的发射极接地，集电极分别经电阻R6连接至所述电阻R7的第一端、经电阻R1连接至所述PMOS管G3的G极，所述PMOS管G3的S极连接至所述电阻R7的第一端，D极与所述PMOS管G4的D极之间通过驱动线圈L1连接，组成复位控制电路；所述电容C1和所述电容C2并联后一端接地，另一端连接至所述电阻R7的第一端，所述电阻R7的第二端连接至短节点CH1的第二接口，所述短节点CH1的第一接口连接至+9V。

进一步的，所述电容C1和所述电容C2均为电解电容。

进一步的，所述NMOS管G1和G2的型号相同，均为Si2302。

进一步的，所述PMOS管G3和G4的型号相同，均为Si2301。

进一步的，所述三极管T1和三极管T2的型号相同，均为c9014。

进一步的，所述驱动线圈L1的规格为1300T/0.16mm。

相对于现有技术，本发明所述的故障指示器全桥翻盘电路具有以下优势：

(1)本发明所述的故障指示器全桥翻盘电路，采用NMOS管和PMOS管代替可控硅，MOS管的开关受控，充放电更快，MOS管导通电阻很小，压降几乎为0，因此可以充分利用电容电压，从而简化电路、节约板材空间，降低了经济成本。

(2)本发明所述的故障指示器全桥翻盘电路，翻盘、复归使用电容C1与电容C2并联，节省板材空间。